產地類別 | 進口 | 類型 | 數字式電阻測試儀 |
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應用領域 | 能源,電子,綜合 |
四探針方塊電阻測量儀是為Sheet Resistivity薄層電阻率測量設計的四點探針電阻測量儀器,滿足各種材料的薄層電阻率測量,包括IV族半導體、金屬和化合物半導體,以及平板顯示器和硬盤中發現的新材料。
四探針方塊電阻測量儀使用兩個電流供應和兩個電壓傳感探針,在各種材料上提供高度準確和可重復的薄層電阻率和厚度測量。該四探針方塊電阻測量儀具有用戶友*的“一鍵式”操作和自動校準功能。能夠在90秒內測量50個位置,測量范圍從1mΩ/sq到800kΩ/sq,***高可達8E11Ω/sq。
應用
P/N型式試驗,硅襯底,Epi層,SOI,離子注入劑量和均勻性,多晶硅電阻率和厚度,金屬沉積監測儀,硅化物工藝監測器,離子注入擴散,Poly gate過程監控器,ITO,金屬,多晶硅、a-Si
四探針方塊電阻測量儀規格參數
適用晶片尺寸:50、75、100、125、200 mm
測試直徑:距離晶圓邊緣不超過3mm
測量范圍:1mΩ/sq。至800kΩ/平方。或8E9Ω/平方。
測量單位:Ω/平方。,Ω-cm,V/I,μ[T],?[T]
測量重復精度:<0.2%(典型)
快速檢查:1、5、9個站點|5、6、9、10、13個站點ASTM/SEMI|X-圖案或自定義站點
笛卡爾映射:任何站點間隔≥0.1 mm,***多6000個站點
電子精度:<0.1%(精密電阻器)
當前分辨率:16位A/D
測量符合電壓:125V
四探針方塊電阻測量儀使用兩個電流供應和兩個電壓傳感探針,在各種材料上提供高度準確和可重復的薄層電阻率和厚度測量。該四探針方塊電阻測量儀具有用戶友*的“一鍵式”操作和自動校準功能。能夠在90秒內測量50個位置,測量范圍從1mΩ/sq到800kΩ/sq,***高可達8E11Ω/sq。
應用
P/N型式試驗,硅襯底,Epi層,SOI,離子注入劑量和均勻性,多晶硅電阻率和厚度,金屬沉積監測儀,硅化物工藝監測器,離子注入擴散,Poly gate過程監控器,ITO,金屬,多晶硅、a-Si
四探針方塊電阻測量儀規格參數
適用晶片尺寸:50、75、100、125、200 mm
測試直徑:距離晶圓邊緣不超過3mm
測量范圍:1mΩ/sq。至800kΩ/平方。或8E9Ω/平方。
測量單位:Ω/平方。,Ω-cm,V/I,μ[T],?[T]
測量重復精度:<0.2%(典型)
快速檢查:1、5、9個站點|5、6、9、10、13個站點ASTM/SEMI|X-圖案或自定義站點
笛卡爾映射:任何站點間隔≥0.1 mm,***多6000個站點
電子精度:<0.1%(精密電阻器)
當前分辨率:16位A/D
測量符合電壓:125V