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SurfaceSeer S-201 高分辨二次離子質(zhì)譜儀tof-sims

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 那諾中國有限公司
  • 品牌 KORE
  • 型號 SurfaceSeer S-201
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/8/15 15:55:33
  • 訪問次數(shù) 1343

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那諾中國有限公司專注于為大中華區(qū)域(包括中國大陸、香港、澳門和中國臺灣)的高校、科研院所、企業(yè)研發(fā)與生產(chǎn)等企業(yè)機構(gòu)提供高性能、高性價比、定制化的薄膜工藝加工設(shè)備及科學(xué)分析檢測儀器。


那諾中國提供美國那諾-馬斯特薄膜工藝加工設(shè)備(包含磁控濺射、熱蒸鍍、電子束、PECVD、ALD、PA-MOCVD、RIE、離子束、DRIE、晶圓兆聲清洗機等)。


那諾中國提供英國KORE基于飛行時間的質(zhì)譜儀,包含飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)、質(zhì)子轉(zhuǎn)移反應(yīng)(PTR)質(zhì)譜儀、電子轟擊電離(EI)質(zhì)譜儀等。





ALD,PECVD,RIE,磁控濺射,熱蒸鍍,電子束,離子束,晶圓清洗機,PA-MOCVD,飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)

價格區(qū)間 面議 儀器種類 飛行時間
應(yīng)用領(lǐng)域 化工,生物產(chǎn)業(yè),地礦,電子,制藥 原始束流或速能量 5kV
質(zhì)量分辨率 >2500m/δm (FWHM) 質(zhì)量分析范圍 ~10000U

Kore SurfaceSeer S在飛行時間二次離子質(zhì)譜儀 (TOF-SIMS) 系列中,是一款高性價比且經(jīng)久耐用的產(chǎn)品。它是研究樣品表面化學(xué)成分的理想選擇,適用于研發(fā)和工業(yè)質(zhì)量控制應(yīng)用。


高分辨二次離子質(zhì)譜儀tof-sims是非常靈敏的表面分析手段,它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面,在濺射過程中產(chǎn)生二次離子。分析這些二次離子可提供有關(guān)樣品表面的分子、無機和元素種類的信息。其憑借質(zhì)譜分析、二維成像分析、深度元素分析等功能,廣泛應(yīng)用于醫(yī)學(xué)、細胞學(xué)、地質(zhì)礦物學(xué)、半導(dǎo)體、微電子、物理學(xué)、材料化學(xué)、納米科學(xué)、礦物學(xué)、生命科學(xué)等領(lǐng)域。




Kore SurfaceSeer S型號的高分辨二次離子質(zhì)譜儀tof-sims使用的是5keV Cs+離子束(可選惰性氣體Ar+),該離子束是脈沖式的,以限度地減少連續(xù)離子束可能造成的表面損傷。 在每100µs TOF 循環(huán)中,該離子槍的脈沖時間僅為60ns,因此,主光束提供的電流比連續(xù)打開時少1000倍以上。典型的10s實驗時間所產(chǎn)生的電流僅相當(dāng)于幾毫秒的連續(xù)光束電流。 要達到所謂的“靜態(tài)SIMS”極限,需要在一個點上進行幾分鐘的分析,在這個點上,表面損傷在數(shù)據(jù)中變得清晰可見(取決于焦點和光 束電流)。盡管離子劑量較低,這款TOF分析儀還是非常高效的,這就說明了它具有較高的二次離子數(shù)據(jù)速率(即使在離子產(chǎn)率相對較低 的聚合物上,也通常為5000 c/s)。


TOF-SIMS的高表面靈敏度使其成為解決問題的良好起點,可以對樣品中存在的物質(zhì)類型進行概述。然后可以使用其他技術(shù)來獲取其他信息。TOF-SIMS還可以檢測到比傳統(tǒng)表面分析技術(shù)(如XPS和Auger)低得多的物質(zhì)水平。


SurfaceSeer S 儀器特點:

  • 配備5keV Ar+/Cs+脈沖式離子束,以限度地減少連續(xù)離子束可能造成的表面損傷,實現(xiàn)樣品“無損”分析;

  • 針對工業(yè)領(lǐng)域的低成本TOF-SIMS儀器;

  • 均適用于導(dǎo)電物體表面和絕緣物體表面的分析 ;

  • 可在1~2min內(nèi)實現(xiàn)高速率的正負質(zhì)譜分析;

  • 質(zhì)量分辨率可達 >2,500 m/δm (FWHM);

  • 適用于導(dǎo)電物體表面和絕緣物體表面的分析。


SurfaceSeerS應(yīng)用領(lǐng)域:

表面化學(xué)

黏附力

分層

印刷適性

表面改性

等離子體處理

痕量分析(表面ppm)

催化劑

同位素分析

表面污染








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