ES622-50 ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)
- 公司名稱 湖南格雷柏電子科技有限公司
- 品牌 ESDEMC
- 型號 ES622-50
- 產(chǎn)地 美國
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2024/9/23 14:48:29
- 訪問次數(shù) 427
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ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng) ，HBM/MM/Latch-up測試機， ESD/CDM/Latch-UP抗靜電能力測試系統(tǒng)， ES612A 靜電測試儀(HBM、HMM、MM)， ESD靜電和閂鎖測試系統(tǒng)， CDM充電器件模型測試儀， CDM測試機， 半導體器件靜電測試儀， 晶圓級ESD測試儀，EMI近場測試掃描儀系統(tǒng)
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,航天,汽車,電氣 |
|---|
ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)（含HMM、HBM、MM外部模塊）介紹：
1.描述
ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)是一種IV曲線表征系統(tǒng)，旨在高功率時域中模擬ESD事件（TLP/VF-TLP/HMM/HBM/MM脈沖）及監(jiān)控設(shè)備（半導體、分立器件、電路模塊等）。ES622相比之前的ES620，規(guī)格更高，功能更多，擴展能力更強，軟件體驗更佳。
傳輸線脈沖(TLP)測試功能旨在滿足新的ANSI/ESD STM5.5.1測試標準，并將高質(zhì)量矩形脈沖應(yīng)用于被測器件并記錄器件兩端的電壓和電流。可繪出脈沖IV曲線，允許用戶在納秒級時間窗口內(nèi)表征器件的瞬態(tài)響應(yīng)。設(shè)備集成了先進的自動器件故障檢測方法，例如：直流抽檢（V或I）、靜態(tài)IV曲線、熔斷、擊穿和偏置源波動。
VF-TLP測試旨在模擬CDM速度ESD事件，并在高速（例如<100ps上升時間）ESD瞬態(tài)下捕獲DUT兩端的電壓和通過 DUT的電流。這允許用戶研究器件的響應(yīng)速度和峰值鉗位電壓。
人體金屬模型(HMM)測試功能是IEC61000-4-2系統(tǒng)級ESD的替代測試方法。它為低歐姆設(shè)備提供了理想標準波形的等效波形，并消除了組件或晶圓級測試的許多IEC槍測試問題，例如可重復(fù)性、槍尖不精確、阻抗不匹配、來自非屏蔽繼電器的EMI干擾以及具有大接地平面和耦合平面的特殊裝置等。
2.特點
可靈活配置的TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)
超緊湊的設(shè)計系統(tǒng)
具有多線程處理能力的超快測試速度
提供20A、40A、50A、100A、125A、150A型號（可定制）
可用軟件提供高級系統(tǒng)和附件監(jiān)控和控制（開關(guān)壽命監(jiān)視器、E-Cal 模塊、示波器衰減調(diào)整）
測試功能可通過VF-TLP、HMM、HBM、MM選項進行擴展
多種故障自動檢測方式（直流抽檢（V或I）或IV掃描、熔斷、擊穿和偏置電流變化）
軟件控制脈沖：突發(fā)、連續(xù)、IV曲線表征
上升時間選項從40ps到1200ns（取決于型號，可定制）
脈沖寬度選項從1ns到2000ns（取決于型號，可定制）
注意：EOS系列支持更長的脈沖應(yīng)用，脈沖寬度從幾百ns到幾ms
3.應(yīng)用
ESD性能表征
晶圓/封裝級ESD測試
系統(tǒng)/電路模塊ESD測試
安全操作區(qū)（SOA）測試
充電恢復(fù)時間測試
太陽能電池板二極管特性
觸摸屏ITO微帶線熔斷和擊穿測試
相關(guān)標準：
TLP/VF-TLP選項符合ANSI/ESD STM 5.5.1標準
HMM選項符合ANSI/ESD SP5.6標準
HBM選項符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001標準
MM選項符合ANSI/ESDA SP5.2標準
4.規(guī)格
ES622系列TLP單元規(guī)格表
參數(shù) | ES622-20 | ES622-50 | ES622-100 | ES622-125 | ES622-150 | 單位 | 可根據(jù)要求提供特殊型號，例如 40、100、200+ A |
開路輸出電壓 | ±0.5~1000 | ±0.5~2500 | ±0.5~5000 | ±0.5~6250 | ±0.5~7500 | V | |
開路最小電壓步長 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | V | |
短路輸出電流 | ±0.01~20 | ± 0.01~50 | ±0.01~100 | ±0.01~125 | ±0.01~150 | A | |
電壓精度 | 精度可在1–10 %之間調(diào)節(jié) | % | 速度/精度軟件可調(diào) | ||||
最快上升時間* （默認20-80%） | ≤50 | ≤200 | ≤300 | ≤300 | ≤300 | ps | 特殊配置可提供10-90%最快至40 ps 的上升時間 |
上升時間范圍 | 0.05~1200 | 0.2~1200 | 0.3~1200 | 0.3~1200 | 0.3~1200 | ns | |
上升時間選項 | 無限的可編程或手動選項 | 可定制 | |||||
脈寬 （默認50-50%） | 100±1 | ns | 默認 | ||||
最小脈寬 | 0.5 | 1 | 5 | 5 | 5 | ns | |
最大脈寬 | 2000 | 2000 | 1500 | 1500 | 1000 | ns | |
脈寬選項 | 無限的可編程或手動選項 | 可定制 | |||||
測試速度 | 通常0.2~2 | s | 因硬件設(shè)置而異 | ||||
尺寸 | 347WX300DX145H | mm | 可能因定制而改變 | ||||
重量 | 8 | 8 | 8 | 10 | 12 | kg | |
支持的示波器 | Tektronix，Agilent，LeCroy，Rigol的主要系列 | 其他可根據(jù)要求支持 | |||||
支持 的SMU | Keithley 24xx/26xx系列SMU | 其他可根據(jù)要求支持 | |||||
ES62X-HMM2外置人體金屬模型模塊（短路DUT，符合ANSI/ESD SP5.6的100Ω HMM）
參數(shù) | ES620-25 | ES620-50 | ES622-100 | ES620-125 | ES620-150 | 單位 | 備注 |
IEC等效等級 | 6 | 12 | 24 | 30 | 36 | kV | |
HMM 峰值電流 | 22.5 | 45 | 90 | 112.5 | 135 | A | 3.75A每1kV≤±10% IEC 61000-4-2 (R=330?, C=150pF) |
HMM 電流 @ 30ns | 12 | 24 | 48 | 60 | 72 | A | ≤±10% (優(yōu)于±30%IEC) |
HMM 電流 @ 60ns | 6 | 12 | 24 | 30 | 36 | A | ≤±10% (優(yōu)于±30%IEC) |
ES62X-HBM2外置人體模型模塊(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 R=1.5k?, C=100pF)
參數(shù) | ES620-25 | ES620-50 | ES622-100 | ES620-125 | ES620-150 | 單位 | 備注 |
最大 HBM測試等級 | ±2 | ±4 | ±8 | ±10 | ±12 | kV | |
最小HBM 測試等級 | ± 50 | V | |||||
最小測試步長 | 1 | V | 通過USB，用PCB控制 | ||||
電荷泄放電阻 | 10K | Ohm | |||||
電壓輸出靈敏度 | 1/201 | V/V | 注入50 Ohm時誤差小于± 3% | ||||
電流傳感器靈敏度 | 1 | V/A | 注入50 Ohm時誤差小于± 3% | ||||
測試速度 | >=1 | S | 根據(jù)標準，最大1P/s | ||||
物理尺寸 | 90X90X130 | mm | |||||
5.訂購信息
編號 | 部件型號 | 描述 |
TLP IV曲線系統(tǒng)基礎(chǔ)配置 | ||
1.1 | ES622-20 | ES622 TLP脈 IV曲線系統(tǒng)，20A基礎(chǔ)單元 |
1.2 | ES622-25 | ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，25A基礎(chǔ)單元 |
1.3 | ES622-40 | ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，40A基礎(chǔ)單元 |
1.4 | ES622-50 | ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，50A基礎(chǔ)單元 |
1.5 | ES622-100 | ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，100A基礎(chǔ)單元 |
1.6 | ES622-125 | ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，125A基礎(chǔ)單元 |
1.7 | ES622-150 | ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，150A基礎(chǔ)單元 |
上升時間選項 (僅作為案例配置展示，可供定制) | ||
2.1 | ES62x-PRT4 | 可編程的4個脈沖上升時間過濾器模塊 |
2.2 | ES62x-PRT10 | 可編程的10個脈沖上升時間過濾器模塊 |
2.3 | ES62x-ERTF | 手動外部上升時間過濾器 |
脈寬選項(僅作為案例配置展示，可供定制) | ||
3.1 | ES620-PPL4 | 可編程的4個內(nèi)置脈寬模塊 |
3.2 | ES620-PPL10 | 可編程的10個內(nèi)置脈寬模塊 |
3.3 | ES620-MPLEx | 手動脈寬外部變動選項 |
外置脈沖模塊選項 | ||
4.1 | ES62X-HBM2 | 人體模型 (HBM) ESD脈沖模塊及測試設(shè)置選項 (ANSI/ESDA/JEDEC JS-001脈沖測試及IV測量) |
4.2 | ES62X-HMM2 | 人體金屬模型(HMM) ESD脈沖模塊及測試設(shè)置選項 (IEC61000-4-2脈沖測試及IV測量) |
4.3 | ES62X-MM2 | 機器模型(MM) ESD脈沖模塊及測試設(shè)置選項 (ANSI/ESDA SP5.2脈沖測試及IV測量) |
漏電或直流IV測量選項 | ||
5.1 | ES62X-SSM | 系統(tǒng)開關(guān)模塊(在脈沖及直流測試間切換) |
5.2 | ES62X-STP1 | SMU 瞬態(tài)保護器 |
直流偏置測量選項 | ||
6.1 | BT-100V2A6G | TLP測試偏置三通，10kHz – 6GHz，100V，2A DC/10A脈沖電流 |
6.2 | BT-100V4A3G | TLP測試偏置三通，10kHz – 3GHz，100V，4A DC/20A脈沖電流 |
6.3 | BT-450V2A5G | TLP測試偏置三通，10kHz – 5GHz，450V，2A DC/10A脈沖電流 |
ESD 注入及IV曲線測量選項 | ||
7.1 | ES62X-PSTT | 用于封裝級標準TLP測試的TDR-O測試裝置 |
7.2 | ES62X-PVFTT | 用于封裝級VF-TLP測試的TDR-S測試裝置 |
7.3 | ES62X-CMPS | 簡易式手動探針臺，配有可靈活移動的真空泵和顯微鏡 |
7.4 | ES62X-WSTT | 用于晶圓級標準TLP測試的TDR-O測試裝置，含探針座 |
7.5 | ES62X-WVFTT | 用于晶圓級VF-TLP測試的TDR-S測試裝置，含探針座 |
與TLP系統(tǒng)匹配的示波器 | ||
8.1 | MISC-OSC1 | 數(shù)字示波器( 1GHz，5Gs，4通道，推薦用于標準TLP測試) |
8.2 | MISC-OSC6 | 數(shù)字示波器( 6GHz，5Gs，4通道，推薦用于VF-TLP測試) |
許多配置可根據(jù)客戶需求定制。
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