1 產品概述:

   Riber分子束外延（MBE）系統是一款在半導體及光電子域廣泛應用的先進設備，以其高精度、高純度和低溫生長的特點而著稱。該系統能夠在超高真空環境下，通過精確控制分子束的流量和速度，實現原子層的材料沉積，從而生長出具有優異性能的薄膜材料。Riber公司作為該域的先者，其MBE系統涵蓋了多種型號，如MBE 6000-Multi和4英寸中試生產系統等，以滿足不同規模和需求的生產場景。

2 設備用途：

1. 半導體制造：Riber MBE系統可用于生長高質量的半導體材料，如GaAs、InP、GaN等，這些材料是制造晶體管、二管、激光器等微電子器件的關鍵。通過MBE技術，可以精確控制材料的組分、厚度和界面結構，從而優化器件的性能。

2. 光電子器件：在光電子域，Riber      MBE系統可用于制造太陽能電池、LED、光電探測器等器件。利用MBE技術生長的量子點等結構，可以顯著提升這些器件的光電轉換效率和性能穩定性。

3. 量子點研究：MBE系統還廣泛應用于量子點的研究和生產中。量子點是一種具有光電特性的納米材料，通過MBE技術可以精確控制其尺寸、形狀和組分，從而制備出性能優異的量子點材料。

4. 超導金屬：Riber MBE系統還可用于生長超導金屬材料。超導金屬具有超精確的尺寸控制和電子在其中不受干擾地流動的特性，是制造超導器件和量子計算等沿技術的重要材料。

3 設備特點

  高精度沉積：Riber MBE系統能夠實現原子層的材料沉積控制，確保薄膜的高質量和均勻性。這種高精度沉積能力使得MBE系統在制造高性能微電子和光電子器件方面具有優勢。

  高真空環境：系統配備先進的真空系統，提供超高真空環境，有效減少雜質和污染，保證晶體沉積的純度和質量。

  低溫生長：MBE技術采用低溫生長方式，有效避免界面原子的互擴散和缺陷的形成，從而生長出高質量的薄膜材料。

  多源端口設計：部分型號如4英寸中試生產系統可配備多個源端口，以滿足不同材料的沉積需求，有助于生長復雜的半導體結構。

4 技術參數和特點：

• 襯底尺寸：5×3英寸、4×4英寸、150毫米、200毫米

• 外延生長：可實現原子的表面平整度且界面陡峭的超薄層沉積，以及合金組分或摻雜原子縱向濃度梯度可調等。

• 真空系統：提供高真空環境，減少雜質和污染，保證晶體沉積的純度和質量。

• 溫度控制：生長溫度低，有效避免界面原子的互擴散。
     

MBE 49生產系統的應用非常廣泛，主要包括以下幾個方面：

• 半導體器件：如晶體管、二管、激光器等。

• 光電子器件：如太陽能電池、LED、光電探測器等。

• 量子點：使用“量子點”，這是使用MBE創建和控制的中等體積的純半導體合金。

• 超導金屬：超導金屬可以具有超精確的尺寸（原子尺度），電子在其中不受干擾地流動。