1 產品概述：

化合物半導體沉積系統是一種高度專業化的設備，主要用于在特定襯底上沉積高質量的化合物半導體薄膜。這些薄膜在電子、光電、微波通信等領域具有廣泛的應用。該系統通常集成了多種先進的沉積技術，如化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、原子層沉積（ALD）等，以滿足不同材料和工藝的需求。

2 設備用途：

化合物半導體沉積系統的主要用途包括：

1. 薄膜沉積：在硅、藍寶石、碳化硅等襯底上沉積高質量的化合物半導體薄膜，如氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等。

2. 器件制造：用于制造高頻、高速、高功率的化合物半導體器件，如射頻功率放大器、微波器件、LED等。

3. 材料研究：支持新材料的研究與開發，包括新型化合物半導體材料的探索與性能驗證。

4. 工藝優化：通過精確控制沉積參數，優化薄膜的結晶質量、成分、厚度等，提高器件的性能和可靠性。

3. 設備特點

化合物半導體沉積系統通常具備以下特點：

1 高精度與可重復性：采用先進的沉積技術和精密的控制系統，確保薄膜的厚度、成分、結晶質量等關鍵參數具有高精度和可重復性。

2 多工藝兼容性：支持多種沉積工藝，如CVD、PVD、ALD等，可根據具體材料和工藝需求進行選擇和優化。

3 高度自動化：系統集成度高，自動化程度高，能夠實現從襯底預處理、沉積過程到后處理的全程自動化控制，提高生產效率和產品質量。

4 廣泛的材料適應性：可適用于多種化合物半導體材料的沉積，包括但不限于GaN、GaAs、InP等，滿足不同應用領域的需求。

5 高效能：沉積速率快，生產效率高，同時能夠保持較低的能耗和成本。

4  設備參數：

1、可用反應器容量：42x2 英寸/11x4 英寸/6x6 英寸
2、最高的晶圓吞吐量和快速的循環時間

3、通過提高均勻性和工藝穩定性實現最大生產量

4、提高生產率