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MLA 300 無掩模對光刻機

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司目前已授實用新型權利 29 項,軟件著作權 14 項,是創新型中小企業、科技型中小企業、規模以上工業企業。

 

 

 

 

 

 

 

 

冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發

1. 產品概述:

MLA 300 無掩模光刻機 提供高吞吐量、簡化的工作流程以及與制造執行系統 (MES) 的集成。該工具用于生產傳感器和傳感器 IC、MEMS 和微流體器件。其他應用包括分立電子元件、模擬和數字 IC、ASIC、電力電子、OLED 顯示器和先進封裝。

MLA 300 可實現高的光學質量和精度。標準曝光模塊的小特征尺寸為 1.5 μm。實現更高吞吐量和更高分辨率的寫入模式正在我們的路線圖上。MLA 300 具有自動化功能,具有可定制的裝載選項、為生產環境設計的軟件以及獲得基材跟蹤技術。

MLA 300 克服了口罩采購、驗證和管理的要求,從而降低了生產成本和工作量。長壽命曝光激光器(24/7 全天候生產估計為 10 年)和較少的耗材可提高運營成本。模塊化設計可實現快速維護、更換或維修。實時自動對焦可補償基材翹曲或波紋,確保無瑕的圖案。無掩模光刻技術允許對每個芯片進行圖案校正和序列化,以全面跟蹤產品特性,例如傳感器校準。

具體參數
最小行數和間距 [μm]2
最小特征尺寸 [μm]1.5
CD均勻度 [3σ, nm]200
邊緣粗糙度 [3σ, nm]80
拼接 [3σ, nm]120
第 2 層對準 [3σ, nm]500
背面對準 [3σ, nm]1000
每個模塊的曝光時間(100 x 100 mm2 80 mJ/cm2 和 405 nm 激光波長)2.75 分鐘
一個模塊的最大寫入速度 405 nm 激光波長4615 平方毫米/分鐘
系統特點
光源375 nm 或 405 nm 的高功率二極管激光器
最大基板尺寸300 x 300 平方毫米
最大曝光面積300 x 300 平方毫米
基板厚度0.1 - 10 毫米
模塊化環境試驗箱溫度穩定性±0.1°C
實時自動對焦光學和/或氣動自動對焦
自動對焦動態范圍高達 150 μm
對準高級對準;背面對齊可選
自動化自動晶圓處理和預對準


系統尺寸(不包括裝載機)
高度 × 寬度 × 深度1980 毫米 x 1200 毫米 x 2310 毫米
重量2600 千克


安裝要求
電氣400 伏交流電,50/60 赫茲,16 安








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