1 產品概述:

   自然氧化膜去除設備是一種專門用于去除半導體晶圓、太陽能電池板等表面自然形成的氧化膜的設備。這些氧化膜通常是由于材料暴露在空氣中與氧氣反應而形成的，它們會影響后續工藝步驟的精度和效果，因此需要在特定工藝階段前進行去除。自然氧化膜去除設備通過物理或化學方法，如等離子體刻蝕、化學清洗等，有效去除這些氧化膜，保證后續工藝的質量。

2 設備用途：

自然氧化膜去除設備的主要用途包括：

1. 半導體制造：在半導體芯片制造過程中，自然氧化膜去除設備用于去除晶圓表面的自然氧化層，為后續的沉積、光刻、刻蝕等工藝步驟提供干凈的表面。這對于保證芯片的性能和可靠性至關重要。

2. 太陽能電池制造：在太陽能電池板的生產中，自然氧化膜去除設備用于去除電池板表面的氧化膜，提高電池的光電轉換效率和穩定性。

3. 微納加工：在微納加工領域，自然氧化膜去除設備也用于去除微納米結構表面的氧化膜，保證加工精度和表面質量。

3 設備特點

自然氧化膜去除設備通常具有以下特點：

1. 高精度：設備能夠精確控制去除氧化膜的厚度和均勻性，確保不會對基材造成損傷或過度去除。

2. 高效率：設備通常采用批量處理的方式，能夠同時處理多個晶圓或電池板，提高生產效率。

3. 低損傷：在去除氧化膜的過程中，設備采用溫和的物理或化學方法，避免對基材造成機械損傷或化學腐蝕。

4. 高穩定性：設備具備穩定的控制系統和精確的監測裝置，能夠確保長時間運行的穩定性和可靠性。

批處理式自然氧化膜去除設備RISE-300，該產品具有以下特點：

• 高產率以及低運行成本（CoO）。

• 具有良好的刻蝕均一性（小于±5%/批）和再現性。

• 采用干法刻蝕技術，具有Damage-Free的特點（如遠端等離子、低溫工藝），減少了對基材的損傷。

• 自對準接觸電阻僅為濕法的1/2，提高了工藝效率。

• 靈活的裝置布局和高維護性（方便的側面維護），降低了維護成本。

• 可處理200mm和300mm尺寸的晶圓，具有廣泛的應用范圍。

4 技術參數和特點：

高產率以及低CoO

良好的刻蝕均一性（小于±5%/批）和再現性

干法刻蝕

Damage-Free（遠端等離子、低溫工藝）

自對準接觸電阻僅為濕法的1/2

靈活的裝置布局

高維護性（方便的側面維護）

300mm晶圓批處理：50枚/批