半導體濕法腐蝕清洗設備,wet bench,晶圓清洗機,RCA清洗機,重腐蝕機,刻蝕機,wet ETCHing,供液裝置,桶清洗設備,灌裝,鈮酸鋰/鉭酸鋰清洗機,氧化鉀清洗機,lift-off,去膠,去蠟,刷洗機,基板清洗機,掩膜版清洗機,mask
wafer size | 8英寸 | Etchant | HF HNO3 CH3COOH |
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treatment unit | 50pcs/barrel | Etching time | 1-999sec |
Rinse time | 0-300sec | Transfer time | Within 2sec |
酸刻蝕機/快速腐蝕機
用途:wafer 的精密酸刻蝕
1、骨架:sus
2、包板:PP/PVC
3、管路:PFA
4、TANK:有
5、供液方式:自動供液;自動補液
6、工藝槽:恒溫控制;循環;過濾;
主要介紹:
主體 *Material
*前門材料 鐵框架覆蓋聚氯乙烯乳白聚氯乙烯透明滑動式
*Exhaust 自動 帶淋浴器 背面
*Lighting 熒光燈
*加速和調節器 調節器設置 時間通過觸控屏設置 安裝 在天花板上
*Diw儲罐 300L
料桶和晶圓旋轉
*晶圓RPM 10~40RPM ±5%
*桶的轉速 晶圓的轉速顯示在 前操作面板。 通常是一種方式。
*Agitation 上下,行程50mm≥
時間0~30/min
料桶輸送系統
* 蝕刻時間 1~999sec
*沖洗時間 0~300sec
*轉移時間 2秒內
*腐蝕溫度 20 ℃~30℃
*0ver流量 20L/mi