1. 產品概述

Canon FPA5000 ES4掃描式光刻機，光源波長248nm，分辨率優于0.13µm，用于6寸、8寸及12寸生產線，廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等域。

2. 設備特點

主要技術指標，分辨率0.13µm，N.A.0.5-0.8，曝光光源248nm，倍率4:1，最大曝光現場26mm*33mm，對準精度25nm。半導體器件制造中最重要的步驟是光刻，其中電路圖形通過精密半導體光刻設備（通常稱為步進機或掃描儀）從掩模轉移到晶圓或面板。

佳能開發了一系列半導體光刻設備，旨在滿足除傳統半導體晶圓加工之外的廣泛應用的技術要求。

半導體芯片（也稱為集成電路，Integrated Circuit, IC）生產主要分為 IC 設計、 IC 制造、 IC 封測三大環節。 IC 設計主要根據芯片的設計目的進行邏輯設計和規則制定，并根據設計圖制作掩模以供后續光刻步驟使用。 IC 制造實現芯片電路圖從掩模上轉移至硅片上，并實現目標芯片功能，包括化學機械研磨、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入等步驟。 IC 封測完成對芯片的封裝和性能、功能測試，是產品交付前的最后工序。