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HUSTEC-DC-2010 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)
參考價(jià) | ¥ 1 |
訂貨量 | ≥1臺(tái) |
- 公司名稱 深圳市華科智源科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) HUSTEC-DC-2010
- 產(chǎn)地 深圳市寶安區(qū)航城街道恒豐工業(yè)城C4棟816
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/5/21 11:24:04
- 訪問次數(shù) 45
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IGBT測(cè)試儀,IGBT測(cè)試儀設(shè)備,大功率IGBT測(cè)試儀,大功率IGBT測(cè)試設(shè)備,IGBT測(cè)試儀系統(tǒng),IGBT靜態(tài)測(cè)試儀,IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,SIC測(cè)試儀
價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子,交通,汽車 |
---|---|---|---|
主機(jī)尺寸 | 深 660*寬 430*高 210(mm) | 主機(jī)重量 | <35kg |
主機(jī)顏色 | 銀色系 | 主機(jī)功耗 | <300W |
海拔高度 | 海拔不超過 4000m | 環(huán)境要求 | -20℃~60℃(儲(chǔ)存)、5℃~50℃(工作) |
相對(duì)濕度 | 20%RH~75%RH (無凝露,濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下) | 大氣壓力 | 86Kpa~106Kpa |
防護(hù)條件 | 無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等 |
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)產(chǎn)品介紹
HUSTEC-DC-2010晶體管直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合半導(dǎo)體功率器件測(cè)試的多年經(jīng)驗(yàn),以及眾多國(guó)內(nèi)外測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品的熟悉了解后,自主開發(fā)設(shè)計(jì)的全新一代“晶體管直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)”。軟件及硬件均由團(tuán)隊(duì)自主完成。這就決定了這款產(chǎn)品的功能性和可靠性能夠得到持續(xù)完善和不斷的提升。
脈沖信號(hào)源輸出方面,高壓源標(biāo)配1400V(選配2KV),高流源標(biāo)配100A(選配40A,200A)柵極電壓40V,柵極電流10mA,分辨率至1mV/30pA,精度可至0.5%。程控軟件基于Lab VIEW平臺(tái)編寫,填充式菜單界面。采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座,自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降,保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。產(chǎn)品可測(cè)試Si,SiC,GaN材料的IGBTs,DIODEs,MOSFETs,BJTs,SCRs等7大類26分類的電子元器件。涵蓋電子產(chǎn)品中幾乎所有的常見器件。無論電壓電流源還是功能配置都有著的擴(kuò)展性。
產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu),由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器,還能夠通過Prober接口、Handler接口可選(16Bin)連接分選機(jī)和機(jī)械手建立工作站,實(shí)現(xiàn)快速批量化測(cè)試。通過軟件設(shè)置可依照被測(cè)器件的參數(shù)等級(jí)進(jìn)行自動(dòng)分類存放。能夠的應(yīng)對(duì)“來料檢驗(yàn)”“失效分析”“選型配對(duì)”“量產(chǎn)測(cè)試”等不同場(chǎng)景。
產(chǎn)品的可靠性和測(cè)試數(shù)據(jù)的重復(fù)性以及測(cè)試效率都有著非常優(yōu)秀的表現(xiàn)。創(chuàng)新的“點(diǎn)控式夾具”讓操作人員在夾具上實(shí)現(xiàn)一點(diǎn)即測(cè)。操作更簡(jiǎn)單效率更高。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存為EXCEL文本。
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)產(chǎn)品信息
產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-DC-2010
產(chǎn)品名稱:元器件直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng);
物理規(guī)格
主機(jī)尺寸:深 600*寬 400*高 200(mm)
主機(jī)重量:<35kg
主機(jī)顏色:白色系
電氣環(huán)境
主機(jī)功耗:<100W
海拔高度:海拔不超過 4000m;
環(huán)境要求:-20℃~60℃(儲(chǔ)存)、5℃~50℃(工作);
相對(duì)濕度: 20%RH~75%RH (無凝露,濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下);
大氣壓力:86Kpa~106Kpa;
防護(hù)條件:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等;
電網(wǎng)要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;
工作時(shí)間:連續(xù);
應(yīng)用場(chǎng)景
? 測(cè)試分析(功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試)
? 失效分析(對(duì)失效器件進(jìn)行測(cè)試分析,查找失效機(jī)理。以便于對(duì)電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過程提 出改善方案)
? 選型配對(duì)(在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測(cè)試,將測(cè)試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類配對(duì))
? 來料檢驗(yàn)(研究所及電子廠的質(zhì)量部(IQC)對(duì)入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢,把控器件的良品率)
? 量產(chǎn)測(cè)試(可連接機(jī)械手、掃碼槍、分選機(jī)等各類輔助機(jī)械設(shè)備,實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、自動(dòng)化測(cè)試)
產(chǎn)品特點(diǎn)
(1) 可測(cè)試 7 大類 26 分類的各類電子元器件;
(2) PC 機(jī)為系統(tǒng)的主控機(jī);
(3) 基于 Lab VIEW 平臺(tái)開發(fā)的填充式菜單軟件界面;
(4) 自動(dòng)識(shí)別器件極性 NPN/PNP (5) 16 位 ADC,100K/S 采樣速率;
(6) 程控高壓源 10~1400V,提供 2KV 選配;
(7) 程控高流源 1uA~40A,提供 100A,300A,500A 選配;
(8) 驅(qū)動(dòng)電壓 10mV~40V;
(9) 控制極電流 10uA~10mA;
(10) 四線開爾文連接保證加載測(cè)量的準(zhǔn)確;
(11) 通過 RS232 接口連接校準(zhǔn)數(shù)字表,對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行校驗(yàn);
(12) Prober 接口、Handler 接口可選(16Bin)
(13) 可為用戶提供豐富的測(cè)試適配器
(14) 連接分選機(jī)測(cè)試量為每小時(shí) 1 萬個(gè)
(15) 可以測(cè)試結(jié)電容,諸如 Cka,Ciss,Crss,Coss;
(16) 脈沖電流自動(dòng)加熱功能,方便高溫測(cè)試,無需外掛升溫裝置;
測(cè)試范圍
01. Diode / 二極管(穩(wěn)壓、瞬態(tài)、三端肖特基、TVS、整流橋、三相整流橋)
02. BJT / 三極管
03. Mosfet & JFET / 場(chǎng)效應(yīng)管
04. SCR / 可控硅(單向/雙向)
05. IGBT / 絕緣柵雙極大功率晶體管
06. OC / 光耦
07. Relay / 繼電器
08. Darlington tube / 達(dá)林頓陣列
09. Current sensor/電流傳感器
10. 基準(zhǔn)IC(TL431)
11. 電壓復(fù)位IC
12. 穩(wěn)壓器(三端/四端)
13. 三端開關(guān)功率驅(qū)動(dòng)器
14. 七端半橋驅(qū)動(dòng)器
15. 高邊功率開關(guān)
16. 電壓保護(hù)器(單組/雙組)
17. 開關(guān)穩(wěn)壓集成器
18. 壓敏電阻
19.電壓監(jiān)控器
應(yīng)用場(chǎng)景
1、測(cè)試分析(功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試,主要功能為曲線追蹤儀)
2、失效分析(對(duì)失效器件進(jìn)行測(cè)試分析,查找失效機(jī)理。以便于對(duì)電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過程提出改善方案)
3、選型配對(duì)(在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測(cè)試,將測(cè)試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類配對(duì))
4、來料檢驗(yàn)(研究所及電子廠的質(zhì)量部(IQC)對(duì)入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢,把控器件的良品率)
5、量產(chǎn)測(cè)試(可連接機(jī)械手、掃碼槍、分選機(jī)等各類輔助機(jī)械設(shè)備,實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、自動(dòng)化測(cè)試)
6、替代進(jìn)口(可替代同級(jí)別進(jìn)口產(chǎn)品)
性能指標(biāo)
測(cè)試參數(shù)
(1) 二極管類:二極管 Diode
Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(選配);
(2) 二極管類:穩(wěn)壓二極管 ZD(Zener Diode)
Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka;
(3) 二極管類:穩(wěn)壓二極管 ZD(Zener Diode)
Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;
(4) 二極管類:三端肖特基二極管 SBD(SchottkyBarrierDiode)
Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(選配);
(5) 二極管類:瞬態(tài)二極管 TVS
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;
(6) 二極管類:整流橋堆
Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;
(7) 二極管類:三相整流橋堆
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;
(8) 三極管類:三極管
Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (選配)、Ts (選配)、Value_process;
(9) 三極管類:雙向可控硅
Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;
(10)三極管類:?jiǎn)蜗蚩煽毓?/span>
Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm;
(11)三極管類:MOSFET
Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ;
(12)三極管類:雙 MOSFET
Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss;
(13)三極管類:JFET
Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss;
(14)三極管類:IGBT
Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;
(15)三極管類:三端開關(guān)功率驅(qū)動(dòng)器
Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt;
(16)三極管類:七端半橋驅(qū)動(dòng)器
Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt;
(17)三極管類:高邊功率開關(guān)
Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt;
(18)保護(hù)類:壓敏電阻
Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;
(19)保護(hù)類:?jiǎn)谓M電壓保護(hù)器
Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;
(20)保護(hù)類:雙組電壓保護(hù)器
Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;
(21)穩(wěn)壓集成類:三端穩(wěn)壓器
Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、 ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk;
(22)穩(wěn)壓集成類:基準(zhǔn) IC(TL431)
Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka;
(23)穩(wěn)壓集成類:四端穩(wěn)壓
Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、 Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk;
(24)穩(wěn)壓集成類:開關(guān)穩(wěn)壓集成器
選配;
(25)繼電器類:4 腳單刀單組、5 腳單刀雙組、8 腳雙組雙刀、8 腳雙組四刀、固態(tài)繼電器
Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(選配)、Toff(選配);
(26)光耦類:4 腳光耦、6 腳光耦、8 腳光耦、16 腳光耦
Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;
(27)傳感監(jiān)測(cè)類:
電流傳感器(ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列)(選配); 霍爾器件(MT44XX 系列、A12XX 系列)(選配); 電壓監(jiān)控器(選配); 電壓復(fù)位 IC(選配);
參數(shù)指標(biāo)
1. 電流/電壓源 VIS 自帶 VI 測(cè)量單元
1). 加壓(FV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±40V | 19.5mV | ±1% 設(shè)定值±10mV |
±20V | 10mV | ±1% 設(shè)定值±5mV |
±10V | 5mV | ±1% 設(shè)定值±3mV |
±5V | 2mV | ±1% 設(shè)定值±2mV |
±2V | 1mV | ±1% 設(shè)定值±2mV |
2).加流(FI):
量程 | 分辨率 | 精度 |
±40A | 19.5mA | ±2% 設(shè)定值±20mA |
±4A | 1.95mA | ±1% 設(shè)定值±2mA |
±400mA | 1195uA | ±1% 設(shè)定值±200uA |
±40mA | 119.5uA | ±1% 設(shè)定值±20uA |
±4mA | 195nA | ±1% 設(shè)定值±200nA |
±400uA | 19.5nA | ±1% 設(shè)定值±20nA |
±40uA | 1.95nA | ±1% 設(shè)定值±2nA |
說明 :電流大于 1.5A 自動(dòng)轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出 ,脈寬范圍 :300us-1000us 可調(diào)
3). 電流測(cè)量(MI)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±40A | 1.22mA | ±1% 讀數(shù)值±20mA |
±4A | 122uA | ±0.5% 讀數(shù)值±2mA |
±400mA | 12.2uA | ±0.5% 讀數(shù)值±200uA |
±40mA | 1.22uA | ±0.5% 讀數(shù)值±20uA |
±4mA | 122nA | ±0.5% 讀數(shù)值±2uA |
±400uA | 12.2nA | ±0.5% 讀數(shù)值±200nA |
±40uA | 1.22nA | ±1% 讀數(shù)值±20nA |
4). 電壓測(cè)量(MV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±40V | 1.22mV | ±1% 讀數(shù)值±20mV |
±20V | 122uV | ±0.5% 讀數(shù)值±2mV |
±10V | 12.2uV | ±0.5% 讀數(shù)值±200uV |
±5V | 1.22uV | ±0.5% 讀數(shù)值±20uV |
2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM
16 位 ADC ,100K/S 采樣速率
1). 電壓測(cè)量(MV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±2000V | 1.22mV | ±1% 讀數(shù)值±20mV |
±100V | 122uV | ±0.5% 讀數(shù)值±2mV |
±10V | 12.2uV | ±0.5% 讀數(shù)值±200uV |
±1V | 1.22uV | ±0.5% 讀數(shù)值±20uV |
2). 漏電流測(cè)量(MI)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±100mA | 30uA | ±1% 讀數(shù)值±30uA |
±10mA | 3uA | ±1% 讀數(shù)值±3uA |
±1mA | 300nA | ±1% 讀數(shù)值±300nA |
±100uA | 30nA | ±1% 讀數(shù)值±30nA |
±10uA | 3nA | ±1% 讀數(shù)值±10nA |
±1uA | 300pA | ±1% 讀數(shù)值±10nA |
±100nA | 30pA | ±1% 讀數(shù)值±5nA |
3). 電容容量測(cè)量(MC)
量程 | 分辨率 | 精度 |
6nF | 10PF | ±5% 讀數(shù)值±50PF |
60nF | 100PF | ±5% 讀數(shù)值±100PF |
3. 高壓源 HVS(基本)12 位 DAC
1).加壓(FV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
1400V/5mA | 30.5mV | ±0.5% 設(shè)定值±500mV |
200V/10mA | 30.5mV | ±0.5% 設(shè)定值±500mV |
40V/50mA | 30.5mV | ±0.5% 設(shè)定值±500mV |
2).加流(FI):
量程 | 分辨率 | 精度 |
10mA | 4.88uA | ±2% 設(shè)定值±10uA |
2mA | 488nA | ±1% 設(shè)定值±2uA |
200uA | 48.8nA | ±1% 設(shè)定值±200nA |
20uA | 4.88nA | ±1% 設(shè)定值±20nA |
2uA | 488pA | ±2% 設(shè)定值±10nA |