腔體尺寸 | 球形腔體,直徑:400 mm | 樣品尺寸 | 1 英寸或 2 英寸向下兼容 |
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樣品加熱 | 輻射式加熱 / 電阻式加熱 / 激光加熱 1000 ℃ / 950 ℃ / 1400 ℃ | RHEED | 兩級差分,30 kV |
靶臺操控 | 6 靶位,1 英寸靶托,公自轉設計 | 抽氣泵組 | 進口:Pfeiffer分子泵,685 l/s Leybold干泵,14.5 m3/h |
氣路 | 進口:質量流量計MKS,50 / 100 sccm | 控壓方式 | 手動角閥/漏閥控壓 |
極限真空 | 5 x 10-9 mbar | 光路支架 | 可根據用戶現場定制 |
軟件控制 | 動作程序控制,軟件編程控制工藝,設備全套互鎖 |
激光 分子束外延系統是一種用于物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,綜合了脈沖激光沉積和分子束外延的特點和優勢。它能在高真空、真空條件下實現原位實時監控薄膜原子尺度層狀外延生長。這一系統適用于多種有機、無機薄膜的制備,尤其適宜于用其它制膜設備和方法難以制備的高熔點、多元素(特別是含有氣體元素時)、復雜層狀結構的薄膜和超晶格的制備。此外,它還可以同時進行激光與物質相互作用及成膜過程的物理、化學觀測,為探索、開發新材料、新器件及相關基礎研究提供了一個強有力的平臺。
以上內容僅供參考,如需更多信息,可咨詢激光分子束外延系統方面的專家。激光分子束外延系統的核心部分是激光脈沖沉積系統,該系統使用高能量的脈沖激光束照射靶材,使靶材表面瞬間達到高溫高壓狀態,進而蒸發、離化靶材原子或分子,形成高溫、高密度的等離子體羽輝。這些離子、原子或分子在羽輝中迅速冷卻并定向傳輸到基片表面,最終沉積形成薄膜。
激光 分子束外延系統的另一個重要組成部分是超高真空系統,該系統能夠在生長過程中保持真空度,有效防止雜質和污染物對薄膜生長的影響。同時,該系統還配備了多種原位監測和表征手段,如反射式高能電子衍射儀(RHEED)、光學顯微鏡、橢偏儀等,可以對薄膜生長過程進行實時監控和精確控制。
此外,激光分子束外延系統還具有高度的靈活性和可擴展性。通過改變靶材和基片的種類,以及調整激光參數和生長條件,可以制備出各種不同類型、不同性能的薄膜材料。同時,該系統還可以與其他先進的實驗設備和技術相結合,如原子力顯微鏡(AFM)、掃描隧道顯微鏡(STM)等,以進一步探索薄膜材料的物理和化學性質。
總之,激光分子束外延系統是一種功能強大、應用廣泛的薄膜制備技術,它在材料科學、物理學、電子學等領域的研究和應用中發揮著重要作用。隨著科學技術的不斷發展,激光分子束外延系統將在更多領域展現出的優勢和潛力。