RTP-1200小型真空快速退火爐(RTP/RTA)為韓國(guó)進(jìn)口的快速退火爐。

該儀器：尺寸小巧，使用風(fēng)冷、無須水冷，電流要求不高(3安培)，性價(jià)比高，使用方便，非常適合科研院所的科研使用。

技術(shù)規(guī)格：

  - 加熱方式：紅外鹵素鎢燈，600W；
  - 鹵素紅外燈數(shù)量：4支；

  - 升溫速率：100℃/秒；

  - 降溫速率：50秒(1000℃ → 400℃)；

  - 溫度：1200℃；

  - 溫度精度：+/-0.3℃

  - 樣品尺寸：20 x 20mm；

  - 退火環(huán)境：真空、惰性氣體、空氣、其他工藝氣氛(如氧氣、氫氣等)；

  - 真空泵及極限壓力：機(jī)械泵，10-3Torr水平(選配)；

  - 電壓：220 V，單相；

  - 儀器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)；

  - 質(zhì)量：凈重30Kg；

儀器特點(diǎn)：

  - 可在真空/不同氣氛/空氣不同環(huán)境下，對(duì)樣品進(jìn)行快速熱處理；

  - 溫控精度高；

  - 適合高校或研究所科研使用；

  - 無須額外的冷卻系統(tǒng)；

  - 緊湊的臺(tái)式設(shè)計(jì)；

  - 儀器操作方便，樣片裝取容易；

  - 價(jià)格合理，高性價(jià)比；

應(yīng)用領(lǐng)域：

  - 快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);

 - 快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);

  - 快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);

  - 硅化 (Silicidation);

  - 擴(kuò)散 (Diffusion);

  - 化合物半導(dǎo)體退火 (Compound Semiconductor Annealing);

  - 離子注入后退火 (Implant Annealing);

  - 電極合金化 (Contact Alloying);

  - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification);

  - 合金熔點(diǎn)分析；

  - 薄膜沉積；

    等等…