超大尺寸勻膠設備 M+/1500-Ｃ，主要用于完成基片光阻涂布工藝。設備可分別配置主軸旋轉裝置、 光阻供液系統（腔體清洗液）、排風系統、上料裝置、控制部份等；設備具有如下特點： 占地面積相對較小，適應范圍廣。 具備故障診斷，歷史記錄追憶功能。 操作界面簡捷，配方編制、儲存、編輯、調用靈活。 整機采用框架結構，工作方式為手動上下基片，自動完成邊緣清洗工藝。 設備依 GB/T19001-2008 ；GB/T24001-2004；GB/T28001-2001；SEMI SⅡ標準制造。超大尺寸勻膠設備 M+/1500-Ｃ，主要用于完成基片光阻涂布工藝。設備可分別配置主軸旋轉裝置、 芯片潔凈室的溫度與濕度

潔凈空間的溫度和濕度(RH)主要根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的情況下，還要考慮舒適感。隨著空氣潔凈度要求的提高，對溫度和濕度的要求有越來越嚴格的趨勢。溫濕度可造成的危害：

由于加工精度越來越精細，所以溫度波動范圍越來越小。例如，在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，要求作為掩模材料的玻璃和硅片的熱膨脹系數差異越來越小。直徑100um的硅片，溫度升高1度，會引起0.24um的線膨脹，所以必須有±0.1度的溫差，同時濕度值一般較低，因為人出汗了，產品會有污染，特別怕鈉的半導體車間，這個車間溫度不要超過25度。

半導體在溫度系數和電阻之間具有反比關系。加熱時，半導體電導增加，電阻降低。最外層的電子與材料化合物的原子核分離。隨著自由電子的增加，電阻相應下降。在制造半導體時，將溫度保持在一定范圍內至關重要，這樣成品芯片才能在其應用中正常運行。高濕度會導致更多問題。當相對濕度超過55%時，冷卻水管壁會結露，在精密器件或電路中會引起各種事故。當相對濕度為50%時，很容易生銹。

另外，當濕度過大時，附著在硅片表面的灰塵會被化學吸附在表面而難以去除。相對濕度越高，附著物越難去除，但當相對濕度低于30%時，由于靜電力的作用，顆粒很容易吸附在表面，大量的半導體器件容易發生故障。

總結起來即:靜電荷的積累;細菌生長;水分凝結;金屬腐蝕;光刻問題。此外，濕度可能是潔凈室工作人員出汗的原因。如果潔凈室的環境太干燥，供應包裝或標簽上的殘留顆?？赡軙吃谑痔?或其他表面)上。低于30%的濕度會給員工帶來很麻煩，可能會導致呼吸不適和皮膚破裂。

溫濕度的標準:將相對濕度控制并保持在40%至60%之間溫度控制在22C-23C之間如何監控并調節潔凈室的溫濕度

芯片潔凈室的溫濕度通常由專門的環境監控系統進行實時測量和調整。這些系統通常包括溫濕度傳感器、數據記錄器和環境控制設備。溫濕度傳感器:這些傳感器被放置在潔凈室的關鍵位置，可以實時測量環境的溫度和濕度。這些傳感器通常使用電阻或電容的變化來測量溫濕度。例如，某些類型的溫度傳感器使用材料的電阻隨溫度變化的特性來測量溫度，而濕度傳感器使用材料的電容隨濕度變化的特性來測量濕度。