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化工儀器網>產品展廳>分析儀器>X射線儀器>X光電子能譜儀(XPS/ESCA)>PHI GENESIS 900 PHI 硬X射線光電子能譜儀

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PHI GENESIS 900 PHI 硬X射線光電子能譜儀

具體成交價以合同協議為準
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HAXPES硬X射線

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PHI (China) Limited 高德英特(北京)科技有限公司(以下簡稱"高德")2010年在北京成立。高德公司秉承"為一.流的商業產品提供頂級的創新市場營銷、售后服務和技術應用支持"的服務理念,為全.亞洲的客戶提供服務和支援。

高德作為 ULVAC-PHI 在中國地區提供銷售及售后服務的唯.一公司,產品主要集中在表面分析儀器,包括XPSAESTOF-SIMS,同時也提供Ellipsometer、MBEALD等設備。高德可為客戶提供從產品策略性營銷規劃到產品應用及售后服務的完整解決方案。

高德憑借為客戶提供業界最佳的產品和服務來為客戶賦能,從而幫助客戶創造最大價值。高德目前在中國地區已經建立起全.方位銷售網絡,銷售合作伙伴遍布全國,客戶包括國內知.名高校、科研院所以及高新技術企業等。高德技術人員皆具備多年使用超高真空和精密電子分析儀器的經驗,售后服務網點和人員分布于全國各大區域,可在第一時間為客戶提供及時、高效、完善的支持服務。

 

表面分析儀器

價格區間 面議 儀器種類 進口
應用領域 化工,地礦,能源,電子,綜合

無需濺射刻蝕的深度探索

下一代透明發光材料使用直徑約為10nm~50nm 的納米量子點(QDs),結合使用XPS(A1 Ka X射線) HAXPES(Cr Ka x射線)對同一微觀特征區域進行分析,可以對 QDs 進行詳細的深度結構分析。XPS HAXPES 的結合使用,可以對納米顆粒進行深度分辨、定量和化學態分析,從而避免離子束濺射引起的損傷。

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深層界面的分析

在兩種x射線源中,只有 Cr Ka XPS 能探測到 Y0,下方距離表面 14nm 處的 Cr層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學態。另外,通過比較,光電子起飛角 90°30° Cr Ka譜圖結果發現在較淺(表面靈敏度更高)的起飛角時,氧化物的強度較高,表明 Cr 氧化物處于 Y,0, Cr 層之間的界面。

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內核電子的探測

Cr Ka 提供了額外的 Al Ka 不能獲取的內核電子基于 Cr Ka 的高能光電子,通常有多個額外的躍遷可用于分析。

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應用領域

主要應用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領域。

用于全固態電池、半導體、光伏、催化劑等領域的先進功能材料都是復雜的多組分材料,其研發依賴于化學結構到性能的不斷優化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表面分析儀器“PHI GENESIS 全自動多功能掃描聚焦X射線光電子能譜儀,具有優秀性能、高自動化和靈活的擴展能力,可以滿足客戶的所有分析需求。


PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領域的應用

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