一、產品概述：

X-Ray是利用陰極射線管產生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過程中，因電子突然減速，其損失的動能會以X-Ray形式放出。而對于樣品無法以外觀方式觀測的位置，利用其穿透不同密度物質后光強度的變化，產生的對比效果可形成影像，即可顯示出待測物的內部結構，進而可在不破壞待測物的情況下觀察待測物內部有問題的區(qū)域。

二、設備用途/原理：

1. 觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝 的半導體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板。

2. 觀測器件內部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況。

3. 觀測芯片crack、點膠不均、斷線、搭線、內部氣泡等封裝 缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷。

三、技術參數(shù)：

1. 樣品尺寸：440 x 550 [mm] (17'' x 21'')

2. 最大投射面積：310 x 310 [mm] (12'' x 12'')

3. FeinFocusX射線管：FXT-160.50 微焦點 或 FXT-160.51 復合焦點, 20 - 160 kV 電壓范圍

4. 探測器有效面積：1004 x 620 px (Y.Panel 1308), 1004 x 1004 px (Y.Panel 1313), 1276 x 1276 px (ORYX 1616)。

三、主要技術指標：

1. 樣品尺寸：440 x 550 [mm] (17'' x 21'')

2. 最大投射面積：310 x 310 [mm] (12'' x 12'')

3. FeinFocusX射線管：FXT-160.50 微焦點 或 FXT-160.51 復合焦點, 20 - 160 kV 電壓范圍

4. 探測器有效面積：1004 x 620 px (Y.Panel 1308), 1004 x 1004 px (Y.Panel 1313), 1276 x 1276 px (ORYX 1616)

5. 像素間距：127 µm

6. 灰度：16 bit

7. 傾角范圍：+/- 70° (140°)

8.三維模式：平面層析掃描 (micro3Dslice), CT快速掃描, 質量掃描