一、雙腔室超高真空磁控濺射系統核心參數：  

儀器種類：磁控濺射 

產地類別：國產  

應用領域：微電子學  

基片尺寸：4寸（可定制）  

靶材：鉭  

基片溫度范圍：RT-900oC  

成膜厚度均勻性：基板刻蝕均一性<3%  

極限真空：極限真空UltimatePressure<3E-9Torr  

二、磁控濺射技術原理：  

在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當濺射產生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后，并不直接飛向陽極，而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。高能電子不斷與氣體分子發生碰撞并向后者轉移能量，使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子最終沿磁力線漂移到陰極附近的輔助陽極而被吸收，避免高能電子對極板的強烈轟擊，消除了二級濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷，體現出磁控濺射中極板“低溫”的特點。由于外加磁場的存在，電子的復雜運動增加了電離率，實現了高速濺射。  

三、雙腔室超高真空磁控濺射系統技術特點：  

成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好 

四、售后服務：  

保修期：1年  

是否可延長保修期：否  

現場技術咨詢：有  

免費培訓：1.設備出廠前，提供至少2人一周的設備原廠培訓。2.設備在現場完成安裝調試  

免費儀器保養：有需要可安排  

保內維修承諾：保修期內（除天災和人為損害外）部件、元件費用、出差費用均由我司承擔  

報修承諾：質保期內出現故障時我司將及時響應，并在8小時內派技術人員到現場解決故障；  

五、技術參數：  

六、工藝展示：