光刻機,鍍膜機,磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發鍍膜儀,開爾文探針系統(功函數測量),氣溶膠設備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強氣相沉積系統(PECVD),原子層沉積系統(ALD),快速退火爐,氣溶膠發生器,稀釋器,濾料測試系統
無掩膜光刻機, 激光直寫系統
直接激光直寫光刻
直接激光光刻技術通過消除光掩模生產對外部供應商的依賴,大大降低了微流體、微電子、微機械和材料科學研究等領域的成本和執行時間。
無掩膜光刻機, 激光直寫系統,其控制軟件在PC上提供。它允許您從GDSII文件的單元格或直接從PNG圖像導入要寫入的設計。
一切都是通過一個用戶友好的圖形界面來完成的,它允許您在執行之前預覽要編寫的設計。
除了對每個設計應用旋轉、反射、反轉或比例調整等變換外,還可以在單個過程中組合多個設計。
在確定了設計方案后,采用了所包含的工作臺控制模塊和共焦顯微鏡。
使用它們,您可以設置基片上工藝的原點位置和感光表面上的焦平面。
接下來執行該過程并將設計寫在表面上。
技術指標:
XY工作臺
典型寫入速度:100-120 mm/s
最大面積:100x92 mm^2
最小面積:沒有最小面積
單向定位臺階:X=0.16µm,Y=1.00µm
慢速X軸上的機械噪聲:<1µm
快速Y軸上的機械噪聲:<1µm
多層對準精度:5-10µm(可選旋轉臺,便于對準)
實際最小特征尺寸:6-15µm,取決于特征(示例見下圖)
軟件
支持的格式:PNG、GDSII
在軟件轉換:,旋轉、反射、反轉、重縮放、添加邊框
-可以在一個進程中編寫來自不同文件的多個設計
-通過3點線性或4點雙線性聚焦測量進行傾斜/翹曲基板補償
-全床曲率補償的網格型標定
光學
-激光波長:405nm(可選375nm)
-激光聚焦、對準和檢測用共焦顯微鏡
-二次獨立黃色照明
-激光光斑尺寸可以使用工業標準顯微鏡物鏡改變
精度:
-精細:0.8µm
-介質:2µm
-粗粒:5µm
大面積包含目標的有效書寫速度(單向書寫):
-精細:1.7 mm^2/min
-中等:4.25 mm^2/min
-粗糙度:10.6 mm^2/min
在雙向寫入模式下速度加倍。