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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>濕法工藝設備>濕法腐蝕/刻蝕設備> 美國Laurell濕法刻蝕顯影機 EDC-650Mz-8NPP

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美國Laurell濕法刻蝕顯影機 EDC-650Mz-8NPP

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本公司主要從事半導體進口設備及輔助材料、醫療檢測設備等多領域的銷售,是一家集研發、制造、銷售為一體的企業。我們的主營業務涉及了研發銷售及加工材料及周邊產品;電子光電產品設備研發組裝及銷售,半導體儀器設備銷售;國內貿易、貨物及技術進出口;醫療器械研發及銷售;醫用耗材及醫療用品的銷售等

勻膠顯影機(英文名:Developing)
產地:美國

美國Laurell濕法刻蝕顯影機 EDC-650Mz-8NPP(圖1)

一、產品概述:
   650型勻膠顯影機適應于半導體、化工材料、硅片、晶片、基片、導電玻璃等工藝,制版的表面顯影。一般勻膠顯影機由動力系統、顯影液槽及噴液管、水洗槽、擠壓 (水)輥、涂膠槽等部分組成。


二、勻膠顯影機工作原理:
顯影系統具有可編程閥,它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應用的要求重復進行,如沖洗(通常是去離子水或溶劑),然后干燥(通常是氮氣)等最后的處理步驟。采用此序貫閥門技術的晶圓片和管道在*干燥的環境中開通和關閉處理過程。隔離和獨立的給水器可處在靜態的位置還可以蓋內調節。勻膠顯影機還有可選擇的動態線性或徑向滴膠的特性。


三、勻膠顯影機主要性能指標:    
1、腔體尺寸:12.5英寸 (318 毫米)
2、Wafer&芯片:直徑8英寸(200毫米)的晶圓片或者7x7英寸(175毫米)的方片;
3、非真空托盤:聚丙烯材質非真空托盤,可承載2、3英寸及200毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能;
3、轉動速度:0-12,000rpm,
5、馬達旋涂轉速:穩定性能誤差 < ±1%;
6、工藝時間設定:1-5999.9 sec/step 0.1 精度;
7、高精度數碼控制器:PLC控制,設置點精度小于0.006%;
8、程序控制:可存儲20個程序段,每個程序段可以設置51步不同的速度狀態;
9、分辨率:分辨率小于0.5轉/分,可重復性小于±0.5轉/分,美國國家標準技術研究院(NIST)認證過的,并且無需再校準!]
10、腔體開關蓋板:透明ECTFE材質圓頂蓋板,便于實時進行可視化操作;
11、腔體材質說明:用聚丙烯材質制成的帶有聯動傳感觸點的合瓣式艙體;
12、配套分析軟件:SPIN3000操作分析軟件;
13、配套真空泵系統:無油型 220~240伏交流,50/60赫茲;


四、適用工藝(包括但不限于下述濕法制程)
光刻膠顯影(KrF/ArF)
SU8厚膠顯影
顯影后清洗
PostCMP清洗
光罩去膠清洗
光刻膠去除
金屬Lift-off處理
刻蝕微刻蝕處理





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