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FR-Scanner 自動化高速薄膜厚度測量儀

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岱美儀器技術服務(上海)有限公司(Dymek Company Ltd ,下面簡稱岱美)成立于1989年,是一間擁有多年經驗的高科技設備分銷商,主要為數據存儲、半導體、光通訊、高校及研發中心提供各類測量設備、工序設備以及相應的技術支持,并與一些重要的客戶建立了長期合作的關系。自1989年創立至今,岱美的產品以及各類服務、解決方案廣泛地運用于中國香港,中國大陸(上海、東莞、北京),中國臺灣,泰國,菲律賓,馬來西亞,越南及新加坡等地區。


岱美在中國大陸地區主要銷售或提供技術支持的產品:

晶圓鍵合機、納米壓印設備、紫外光刻機、涂膠顯影機、硅片清洗機、超薄晶圓處理設備、光學三維輪廓儀、硅穿孔TSV量測、非接觸式光學三坐標測量儀、薄膜厚度檢測儀、主動及被動式防震臺系統、應力檢測儀、電容式位移傳感器、定心儀等。


岱美重要合作伙伴包括有:

Thetametrisis, EVG, FSM, Opto-Alignment, Herz, PLSINTEC, Film Sense, Reditech, Lazin, Delcom, Microsense, Shb, boffotto, RTEC, Kosaka, Nanotronics, MTInc, 4D, Daeil, Microphysics,

n&k Technology, First Nano, Schmitt, LESCO, Otsuka, STI, Kurashiki, Ryokosha, SURAGUS, Westbond...


如有需要,請聯系我們,了解我們如何開始與您之間的合作,實現您的企業或者組織機構長期發展的目標。




膜厚儀,輪廓儀,EVG鍵合機,EVG光刻機,HERZ隔震臺,Microsense電容式位移傳感器

產地類別 進口 價格區間 面議
應用領域 電子,綜合
  薄膜厚度測量是指通過使用膜厚測量儀器或設備來準確測量薄膜、涂層或其他薄層材料的厚度。薄膜厚度的測量對于許多行業和領域都非常重要,例如電子、光學、材料科學、化工等。
  常見的方法和工具用于測量薄膜厚度包括:
  1、光學干涉法:通過光學干涉原理測量薄膜的厚度,利用干涉儀器如白光干涉儀或激光干涉儀進行測量。
  2、X射線熒光測厚儀:利用X射線照射樣品表面,通過測量熒光光譜來確定薄膜厚度。
  3、聲表面波測量儀:利用超聲波在薄膜表面傳播的特性來測量薄膜厚度。
  4、拉伸法:通過在不同拉伸條件下測量薄膜的拉伸性能來間接推斷薄膜厚度。
  5、柱形法:利用柱形物的體積變化來測量薄膜的厚度。
  在進行薄膜厚度測量時,需要選擇適合的測量方法和儀器,按照操作說明進行準確的測量,確保結果的準確性和可靠性。同時,在實際應用中,還需要考慮樣品的特性、表面處理情況以及測量精度要求等因素。

  Thetametrisis薄膜厚度測量儀 FR-Scanner 是一種緊湊的臺式工具,適用于自動測繪晶圓片上的涂層厚度。FR-Scanner 可以快速和準確測量薄膜特性:厚度,折射率,均勻性,顏色等。真空吸盤可應用于任何直徑或其他形狀的樣片。
  1、應用
  半導體生產制造:(光刻膠, 電介質,光子多層結構, poly-Si, Si, DLC, )
  光伏產業
  液晶顯示
  光學薄膜
  聚合物
  微機電系統和微光機電系統
  基底:透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明
  Thetametrisis薄膜厚度測量儀的光學模塊可容納所有光學部件:分光計、復合光源(壽命10000小時)、高精度反射探頭。因此,在準確性、重現性和長期穩定性方面保證了優異的性能。
  Thetametrisis薄膜厚度測量儀 FR-Scanner 通過高速旋轉平臺和光學探頭直線移動掃描晶圓片(極坐標掃描)。通過這種方法,可以在很短的時間內記錄具有高重復性的精確反射率數據,這使得FR-Scanner 成為測繪晶圓涂層或其他基片涂層的理想工具。
  2、特征
  單點分析(不需要預估值)
  動態測量
  包括光學參數(n和k,顏色) o 為演示保存視頻
  600 多種的預存材料
  離線分析
  免費軟件更新

  3、性能參數


  4、測量原理
  白光反射光譜(WLRS)是測量從單層薄膜或多層堆疊結構的一個波長范圍內光的反射量,入射光垂直于樣品表面,由于界面干涉產生的反射光譜被用來計算確定(透明或部分透明或*反射基板上)的薄膜的厚度、光學常數(n和k)等。


 
  1、樣片平臺可容納任意形狀的樣品。450mm平臺也可根據要求提供。真正的X-Y掃描也可能通過定制配置;
  2、硅基板上的單層SiO2薄膜的厚度值。對于其他薄膜/基質,這些值可能略有不同;
  3、15天平均值的標準差平均值。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅;
  4、2 X (超過15天的日平均值的標準偏差)。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅;
  5、測量結果與校準的光譜橢偏儀比較;
  6、根據材料;
  7、測量以8 "晶圓為基準。如有特殊要求,掃描速度可超過1000次測量/每分鐘;
  如果您想要了解更多關于Thetametrisis膜厚儀的產品信息,請聯系我們岱美儀器。


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