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化工儀器網>產品展廳>行業專用儀器及設備>其它行業專用儀器>霍爾效應測試儀>MH100 探針座

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MH100 探針座

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北京飛凱曼科技有限公司為多家國內外高科技儀器廠家在中國地區*代理。飛凱曼科技公司一貫秉承『誠信』、『品質』、『服務』、『創新』的企業文化,為廣大中國用戶提供*的儀器、設備,Z周到的技術、服務和*的整體解決方案。在科技日新月異、國力飛速發展的中國,光電技術、材料科學、半導體薄膜薄膜生長和加工技術、表面材料物性分析、生物藥物開發、有機高分子合成等等領域,都需要與歐美發達國家*接軌的儀器設備平臺來實現。飛凱曼科技公司有幸成長在這個科技創造未來的年代,我們愿意化為一座橋梁,見證中國科技水平的提升,與中國科技共同飛速成長。

主要產品:
1.
晶圓探針臺、平板式樣品探針臺、Mini腔探針臺、四探針臺、環境可控型四探針臺、高低溫(變溫)探針臺、霍爾效應測試儀、變溫霍爾效應測試儀、塞貝克效應測試儀
2. 在線表面缺陷檢測系統、片狀物在線表面缺陷檢測系統、片狀物離線表面缺陷檢測系統、智能型視頻表面檢測系統、自動化印刷檢測系統
3. 日本AET公司微波介電常數測試儀
4. 在線粘度計、便攜式在線粘度計、高溫粘度計
5. 高純鍍膜材料:五氧化三鈦、鈦酸鑭、二氧化硅、鑭鋁混合物、氧化鋁、硅鋁混合物、氧化鉭、氧化鈮

6.半導體激光器、波長穩定的半導體激光器、單頻半導體激光器、光纖耦合半導體激光器、光纖激光器、波長可調諧單頻激光器、激光諧振腔設計軟件

7 體全息光柵(VHG)、脈沖展寬器、脈沖壓縮器、脈沖抑制器、陷波濾波器、ASE抑制濾波器、合束器、多線濾波器、相位掩模版、VHG-FAC、激光穩頻元件、氟化鈣(CaF2)晶體、Er:YAG晶體、NdYAG晶體、YbYAG晶體、Ho:YAG晶體、TmYAG晶體、鈮酸鋰晶體(LibO3)、摻鉺玻璃、磁旋光玻璃

8.真空設備配件:磁控陰極(含圓形和矩形)、氣體質量流量器(MFC)、朗謬爾探針、氣體閉環控制器等

9.日本UNIOPT公司雙折射測量系統、光彈性模量測試系統、應力測試系統、磁光克爾效應(MOKE)測試儀、薄膜殘余應力測試儀

10.日本APCO公司精密自動劃片機、貼膜機、清洗機、撕膜機

半導體激光器,單頻激光器,探針臺,探針座,表面缺陷檢測系統,霍爾效應測試儀,摻鉺光纖放大器,微波介電常數測試儀,在線粘度計

 

中國臺灣SWIN公司是一家開發和生產手動探針臺為主的的制造商,其提供的手動探針臺針廣泛應用于半導體、微電子、光電子、太陽能等領域,其產品包括:晶圓探針臺(Wafer Probe Station)、射頻探針臺(RF Probe Station)、LCD/OLED大尺寸平板探針臺(LCD/OLED Probe Station)、四探針臺(Four Point Probe Station,也稱:表面電阻探針臺)、霍爾效應探針臺(Hall effect measurement system、變溫探針臺(高溫探針臺、低溫探針臺)、環境可控型探針臺等型號。
APS150/APS200晶圓探針臺:
·  載物臺尺寸: 4英寸、6英寸、8英寸可供選擇
·  載物臺位移:
        快速移動( APS150 / APS200 )150 X 150mm / 200 X 200mm
        精密調整( APS150 / APS200 )150 X 150mm / 200 X 200mm
·  樣品臺旋轉角: 0 ~ 30 (可選精密調整)
·  載物臺上/下范圍: 5mn
·  真空吸盤:不銹鋼(可選加熱吸盤)
·  漏電流低于300fA
·  顯微鏡臺位移: 25mm X 25mm
·  顯微鏡放大倍率: 30-2000(可由客戶)
·  探針座數量:2-6
·  探針座XY位移:11mm、12mm、25mm可選
·  Z位移8mm、11mm12mm、16mm可選
·  尺寸: ( W / D / H )
       APS150 : 580mm X 460mm X 700mm
       APS200 : 660mm X 660mm X 700mm
·  重量 ( APS150 / APS200 ) : 60kg / 80kg
 
 
可選配件:
1)低電流、低電容探針/電纜
2RF探針/電纜
3)不同工作距離和放大倍率光學顯微鏡
4)變溫探針臺
5)真空腔
6)環境腔
 
同時我們可以根據您的具體需求提供高性價比的客制化產品。
 
 
可選磁性和真空
移動范圍:12mm

分辨率可至
1um
多種型號可選

Model : MH100, MH200, MH300, MH500
型號
NH110
NH300
NH350
NH500
尺寸mm
70×50
70×35
50×30
110×125
XY位移范圍mm
12
12
11
25
Z位移范圍 mm
8
12
11
16
位移精度μm
1
5
5
3
 

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