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紅外后對準雙面刻機

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  武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業研發,以力學試驗機儀器為主,同時銷售各種、中低端分析儀器。現有員工60多人,公司成功開發了PCI放大采集卡和中文版試驗軟件,并采用全數字化,操作簡捷,*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標準、國家標準、行業標準的要求,公司亦通過了ISO9001質量體系認證和國家計量體系認證,榮獲了“武漢市第九界消費者滿意單位”的稱號。
  產品廣泛應用于電子、高校、政府研究機構、環保機構、石油化工、紡織制造、第三方檢測機構、*別研究院、新能源、集成電路、芯片、封裝測試、半導體行業、顯示器領域、光電材料、鋰電池、機械生產等領域。并與武漢理工大學、華中科技大學等建立了長期合作,每年投入大量研究經費,招攬各方優秀的技術人才加盟突破國內技術壁壘,不斷攻克新的技術難題,另外公司還積極拓展海外業務,產品遠銷越南,印度,埃及等國家和地區。
  本著“專業品質,專業服務”為宗旨,以“科技、品質、競爭、創新”為理念,通過不斷汲取新的技術,新的理念,繼續開發研制新產品,并為廣大客戶提供優質的售前,售中,售后服務。熱烈歡迎廣大新老朋友業函,來電,蒞臨我公司參觀指導!


 

實驗室檢測儀器,測試儀器設備等

產地類別 國產 應用領域 化工

紅外后對準雙面刻機

SPTS作為*的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設備的供應商,SPTS能夠提供一系列的解決方案來滿足客戶的生產和開發要求。通過一系列的技術的開發,SPTS能為客戶提供一系列的*的工藝,比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的端封裝(3D封裝和芯片級封裝)。

深硅刻蝕工藝的主要過程包括:

1) 鈍化處理過程(C4F8等離子體)

一階段:由C4F8產生CFn聚合物沉淀在所有的表面

2) 刻蝕過程(SF6等離子體)

第二階段:由于離子體的定向運動,基面上的聚合物被去除的速度要比在側壁的去除速度快。

第三階段:暴露的硅表面就會被F系物刻蝕掉,SF6*提供等離子體,來實現高深寬比的刻蝕。

紅外后對準雙面刻機

深硅刻蝕的主要應用包括: MEMS,*封裝(TSV),功率器件等等。

 

SPTS提供一系列的設備來滿足客戶研發到生產不同的要求。包括ICP-SR/SRE系列,而Pegasus則是大量生產所使用的設備。

 

Pegasus是行業先的深槽刻蝕設備,可以提供理想的刻蝕速度,但同時保證側面特征良好控制和一致性。通過利軟件“boost and delay”和利 “parameter ramping” 以及絕緣硅技術實現了高性能的工藝控制。

 

parameter ramping技術:

實時調節工藝過程參數,以達到理想的側面輪廓。



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