MDPpro晶圓/晶錠少子壽命檢測(cè)儀應(yīng)用材料范圍：

● 硅|化合物半導(dǎo)體|氧化物| 寬帶隙材料| 鈣鈦礦|外延層

無接觸且非破壞的少子壽命成像測(cè)試：(μPCD/MDP(QSS),光電導(dǎo)率，電阻率和p/n型檢測(cè)

● 符合半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SEMI PV9-1110

半導(dǎo)體質(zhì)量的可視化是通過廣泛應(yīng)用的先進(jìn)微波技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。關(guān)鍵的電子半導(dǎo)體參數(shù)的無接觸的快速圖形化檢測(cè)，像少數(shù)載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)的測(cè)量，靈敏度和測(cè)量速度的圖形化方式來展現(xiàn)。這種方法為半導(dǎo)體生產(chǎn)和研究提供了一個(gè)廣泛的已有和新的應(yīng)用領(lǐng)域。

MDP系列產(chǎn)品涵蓋了廣泛的應(yīng)用范圍，從高產(chǎn)量、自動(dòng)化生產(chǎn)的易集成OEM模塊到研究和高靈活性的故障排除工具，MDP始終專注于各種解決方案?？煽亢湍陀玫脑O(shè)計(jì)，再加上新電子可能性的集成，使MDP系列產(chǎn)品成為未來高速非接觸式電子半導(dǎo)體特性檢測(cè)的選擇。

MDPpro晶圓/晶錠少子壽命檢測(cè)儀優(yōu)勢(shì)性能介紹：

● 上限通量: >240 bricks/day或>720 wafers/day

● 測(cè)試速度:<4 minutes，156×156×400 mm 標(biāo)準(zhǔn)晶錠

● 壽命測(cè)試范圍: 20 ns到幾十ms

● 產(chǎn)量提升: 1mm的切割標(biāo)準(zhǔn)156×156×400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠

● 質(zhì)量控制: 專為單晶或多晶硅等工藝和材料的質(zhì)量監(jiān)控而設(shè)計(jì)

● 污染判斷: 產(chǎn)生于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備中的金屬污染 (Fe)

● 可靠性: 模塊化，堅(jiān)固耐用的工業(yè)儀器，具有更高的可靠性和正常運(yùn)行時(shí)間 > 99%

● 重復(fù)性: > 99.5%

● 電阻率：電阻率面掃功能，無需頻繁校準(zhǔn)

應(yīng)用方向：

● 半導(dǎo)體材料少子壽命

● 鐵濃度測(cè)定

● 缺陷濃度測(cè)試

● 硼氧濃度測(cè)試

● 受注入濃影響的測(cè)試

● 晶圓切割，熔爐監(jiān)控，材料優(yōu)化