快速退火爐（快速熱處理設備）設備詳情：

1、性能和特征

• 可處理4-inch 及以下和 6-inch 及以下的晶圓
• 可適用大范圍類型的基片：硅和化合物半導體晶圓，GaN /藍寶石和碳化硅晶圓，多晶硅晶圓，玻璃，金屬，高分子聚合物，石墨和碳化硅托盤等等。
• 設備應用具有：硒化、硫化、接觸退火，注入退火，RTO (快速熱氧化) ，RTN (快速熱氮化) ，硅平滑，擴散，致密化和結晶化，石墨烯CVD，碳納米管等。
• 不銹鋼水冷腔壁技術，高工藝復現性，超潔凈及無污染環境
• 高冷卻速率，低記憶效應
• 具有真空能力，可選配分子泵
• 溫度控制：高溫計和熱電偶控制+快速數字PID溫度控制器
• 邊緣高溫計視口，確保用于化合物半導體和小型樣品
• 基片托的溫度控制

2、快速退火爐（快速熱處理設備）具體參數

• 溫度范圍: 室溫至1250°C（AS-One100）、室溫至1450°C（AS-One100HT）、室溫至1200°C（AS-One150）、室溫至1300°C（AS-One150HT）、
• 升溫速率：可達200°C/s（AS-One100），可達150°C/s（AS-One150）
• 特殊配置下冷卻速率達 100°C/s（選配快速冷卻裝置）
• 可配5條帶質量流量控制器（MFC）的工藝氣路
• 標配一條吹掃氣路
• 具有真空能力，配備干泵，可選配分子泵