1、功能范圍：

可對(duì)各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺(tái)電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、柵極串聯(lián)等效電阻、雪崩耐量進(jìn)行測(cè)試。

2、環(huán)境要求

1、環(huán)境溫度：15—40℃

2、相對(duì)濕度：存放濕度不大于70%

3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa

4、電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波

5、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

6、電源功率：20KW

7、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9

8、氣源要求：≥0.6Mpa

9、無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害。

3、主要技術(shù)指標(biāo)：

設(shè)備技術(shù)指標(biāo)要求如下：

1、（阻性/感性）開關(guān)測(cè)試單元

• 漏極電壓測(cè)試范圍：5V-1500V，5V-100V，步進(jìn)0.1V，

              100V-1500V，步進(jìn)1.0V；

• 漏極電流測(cè)試范圍：1A-300A，分辨率1A；
• 柵極驅(qū)動(dòng)：±30V，分辨率0.1V；
• 大柵極電流：2A；
• 大脈沖電流：300A；
• 電源電壓（VDD）：5V-100V，步進(jìn)0.1V，

                  100V-1500V，步進(jìn)1.0V。

• 脈沖寬度：1us-100us,步進(jìn)0.1us
• 時(shí)間測(cè)試精度：1ns；
• 感性負(fù)載：0.01mH-160mH程序控制，步進(jìn)10uH；
• 阻性負(fù)載：1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω，程序控制，備用三個(gè)電阻，以便使用時(shí)選擇。
• 開通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff：5-10000ns
• 開通/關(guān)斷延遲td(on)/td(off）：5-10000ns
• 上升/下降時(shí)間tr/tf：5-10000ns

小分辨率1ns

• 開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff：1-2000mJ

小分辨率1uJ

2、柵極電荷單元

• 驅(qū)動(dòng)電流：0-2mA，分辨率0.01mA，

2-20mA，分辨率0.1mA；

20mA-200mA，分辨率1mA。

• 柵極電壓：±30V，分辨率0.1V；
• 恒流源負(fù)載：1-25A，分辨率0.1A，

25-300A，分辨率1A；

• 漏極電壓：5-100V，步進(jìn)0.1V，

100-1500V，步進(jìn)1.0V。

• 柵極電荷Qg：1nC-100µC
• 漏極電荷Qgs：1nC-100µC
• 源極電荷Qgd：1nC-100µC
• 閾值電荷Qgth：1nC-100µC

 小分辨率1nC

• 平臺(tái)電壓Vgp：-30-0V,分辨率0.1V

0-30V，分辨率0.1V

3、反向恢復(fù)測(cè)試單元

• 正向電流：1A-25A，分辨率0.1A，

25A-300A，分辨率1A；

• 反向電壓：5v-100V，步進(jìn)0.1V，

100V-1500V，步進(jìn)1.0v；

• 反向恢復(fù)時(shí)間Trr：10ns-10000ns，小分辨率1ns；
• 反向恢復(fù)電荷Qrr：1nC-100µC，小分辨率1nC；
• 反向恢復(fù)電流Irm：1A-300A；
• 反向恢復(fù)損耗Erec：1-2000mJ，小分辨率1uJ；
• 電流下降率dif/dt：50-10kA/us；
• 電流恢復(fù)率dir/dt：50-5kA/us
• dv/dt：50-10kV/us。
• Ta，Tb，SF(軟度因子)

4、反偏安全工作區(qū)RBSOA

• 600A(2倍額定電流下，測(cè)試期間關(guān)斷電壓、電流)。

5、短路安全工作區(qū)SCSOA

• 一次短路電流Isc：1A-1000A，分辨率1A；
• 脈沖寬度5us-10us，步進(jìn)0.1us。

6、結(jié)電容

• 電容測(cè)試掃頻范圍：0.1MHz～1MHz；
• 漏源極電壓：200V，分辨率1V。
• Ciss、Coss、Cres

7、柵極電阻

• 柵極電阻范圍： 0.1～50ohm；分辨率0.1Ω；
• 漏極偏置電壓： 0～1500V；
• 柵極偏置： ±20V。

8、雪崩耐量

• 大雪崩擊穿電壓≥2500V；
• 雪崩電流：200A；
• 感性負(fù)載：0.01mH～100mH連續(xù)可調(diào)，步進(jìn)10μH；
• 可測(cè)試單次雪崩、重復(fù)雪崩。
• 系統(tǒng)功能
• 系統(tǒng)采用圖形化操作界面，界面友好、易操作，具有控制及監(jiān)測(cè)界面編輯功能。
• 系統(tǒng)對(duì)測(cè)試過(guò)程中的數(shù)據(jù)能進(jìn)行實(shí)時(shí)記錄、運(yùn)算、存儲(chǔ)、分析；采集及記錄頻率要求和示波器采樣頻率一致，示波器刻度和采樣點(diǎn)數(shù)均可以設(shè)置。
• 在被試品性能測(cè)試過(guò)程中，能實(shí)時(shí)監(jiān)控試驗(yàn)電源、測(cè)量和分析相關(guān)電參數(shù)的功能，能實(shí)時(shí)監(jiān)控被試品的各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)，能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)加熱基板的溫度，可根據(jù)采集值和限制值進(jìn)行相關(guān)報(bào)警；測(cè)試參數(shù)和相關(guān)監(jiān)控參數(shù)均可在軟件上顯示和設(shè)置。
• 設(shè)備能對(duì)系統(tǒng)的狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)，如系統(tǒng)有故障，能發(fā)出故障信號(hào)和對(duì)主要故障進(jìn)行提示。
• 該設(shè)備能夠借助虛擬儀器系統(tǒng)中的I/O實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的控制功能。
• 設(shè)備高度自動(dòng)化，能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)后臺(tái)處理，分析，并上傳數(shù)據(jù)至后臺(tái)數(shù)據(jù)庫(kù)實(shí)時(shí)監(jiān)控比對(duì)。
• 在測(cè)試過(guò)程中，如有的測(cè)試單元有故障，可手動(dòng)結(jié)束測(cè)試。
• 實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)的指令信息以及來(lái)自測(cè)試平臺(tái)的狀態(tài)信息的綜合處理功能。
• 當(dāng)被測(cè)器件短路時(shí)，系統(tǒng)具有短路檢測(cè)及保護(hù)功能。
• 測(cè)試負(fù)載電感能通過(guò)測(cè)試系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)切換。
• 通過(guò)掃描槍輸入被測(cè)器件編碼型號(hào)。
• 設(shè)備通過(guò)計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的采集和處理，顯示不同參數(shù)的測(cè)試結(jié)果。
• 當(dāng)被測(cè)器件短路時(shí)，系統(tǒng)具有短路檢測(cè)及保護(hù)功能。
• 測(cè)試平臺(tái)的安全系統(tǒng)由測(cè)試電路及電源、各種保護(hù)、門安全系統(tǒng)等組成，在設(shè)備后門沒有關(guān)閉的情況下，設(shè)備不能帶電。
• 測(cè)試夾具是一個(gè)固定的獨(dú)立系統(tǒng)，不同器件配備不同的適配器。
• 該設(shè)備設(shè)置有緊急停止功能。
• 該測(cè)試臺(tái)各部分技術(shù)成熟可靠、結(jié)構(gòu)盡量緊湊，外形美觀，具有良好的測(cè)試穩(wěn)定性能。
• 高壓電容器均有放電設(shè)施和安全接地開關(guān)，在設(shè)備不工作的情況下，所有電容器都安全接地；
• 操作夾具設(shè)有安全接地開關(guān)，設(shè)備不測(cè)試時(shí)被測(cè)輸出端安全接地；
• 操作窗口設(shè)有安全氣動(dòng)門和安全光柵設(shè)備，防止操作者的手被夾；