美國四探針電阻率/方塊電阻測試儀

美國4D公司的四探針/方塊電阻/電阻率測試設備：280SI （普及型號）

· 測量尺寸：晶圓尺寸：2-8寸（333系列可測量大至12寸晶圓，1100系列可測量大至2160mmX2400mm平板系列）

方形片：大至156mm X 156mm；

· 測量范圍： 0.001歐姆/平方 至 800000歐姆/平方（標準型）；

可往下擴展至：0.0001歐姆/平方，往上擴展至8e9或8e11歐姆/平方。相對應的電阻率，薄膜厚度根據不同材料不同應用而不同，但都是以方塊電阻作為基礎設備自動計算得出，注意這是選項價格要高不少，建議客戶按實際需求選擇購買。

· 測量方式： 電腦程序自動測量，或不連電腦單測量主機也可實現測量和數據顯示，此時非常適合測試不規整樣片單點測量，適合實際研究需要。

· 測量的數據： 方塊電阻/電阻率/薄膜厚度，根據具體應用可以設置不同測量程序。

· 測量的點數： 程序編排任意測量點位置及測量點數量，對應不同客戶不同測量要求任意編程測量點位置與數量。

· 測量的準確度：<0.1% （標準模阻）；

· 測量重復性：<0.2% （特定片子）；

· 測量速度：>45點/分鐘；

· 測量數據處理：根據需要顯示2D,3D數值圖，或按要求統計并輸出Excel格式文件；

· 邊緣修正：具有邊緣修正功能，即片子邊緣3mm以內區域都能測量；

· 探針材料：鎢鋼與硅片的接觸電阻小，且耐磨。另外每跟針的軸套采用非常耐磨藍寶石材料，以確保長時間使用后間距的一致性；

· 探針壓力可調范圍：90-200克之間可調；

· 可供選擇的探頭類型：根據測試不同工藝要求有A, B,K, M, N等相關型號探頭選擇，另外還可提供專門為客戶定制的應用特殊要求的探針，比如測試薄至30A的薄膜時需要使用MR型探頭，這是四探針設備供應商少有能做到的。

· 設備應用：

    IC FAB/FP dispaly/LED：擴散，離子注入等摻雜工藝監控調試，薄膜電阻率或厚度測量等工序，如Intel，IBM，Motorola，TSMC，CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Materials Research,RF Monolithics,Linear Technology,Perkin-Elmer Optoelectronics,Candescent Technology,Hewlett-Packard,SHE America/Japan/Europe,Flip Chip,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,RF Monolithic,Osram...

    材料類研究：杜邦（中國），電力科學院，中科院，山東科學院，清華大學，北京大學，復旦大學，華師大，電子科大，國家標準化所，質檢所，光伏科學與技術國家重點實驗室,Applied Materials, Materials Research...
    新能源：尚德，晶澳，英利，阿特斯，天合，LDK，海潤，騰暉，鑫輝，東磁，向日葵，奧特斯維，尖山，晶科，力諾，韓華，神舟，光為，艾力克，吉陽，東營，中盛，First solar,Solar world...

美國四探針電阻率/方塊電阻測試儀

· 客戶群廣：國內已經賣出近300臺之多，*累計各種型號四探針設備近千臺。

· 使用成本

4D公司所提供的探針質保次數是25萬次，而實際從客戶反饋的信息是壽命達到100萬次以上，甚至150萬次以上。同時4D還為客戶提供探頭的探針更換服務，大大降低客戶的使用成本。

· *高

國內行業內有幾百臺的占有率，公司品牌4D已經成為四探針的代名詞；
根據應用不同工藝要求對應的探針類型詳細說明：

測量數據電腦圖（2D/3D）

各類型四探針設備說明：

根據客戶不同使用要求有更多選擇
* 使用液體金屬汞探針替代傳統硬探針的四探針設備，如：M4PP 3093;
* 針對III IV族化合物材料，應用“dynamic AC waveform”克服測量的接觸電阻問題，該型號為：680I；
* 根據不同應用要求，可增加的功能有：溫度控制/補償，邊緣修正，樣品臺定制，自動化要求定制，探頭自動切換，通訊接口擴展，測量范圍擴展等。