TESCAN GAIA3電鏡系統完美的集成了超高分辨率的電子光學系統和高性能的離子束系統，二者配置于同一樣品室上。GAIA3電鏡以MAIA3場發(fā)射掃描電鏡為平臺，在保留MAIA3*性能的基礎上，增加了使用聚焦離子束進行樣品表面處理的功能。GAIA3具有創(chuàng)新性的場發(fā)射電鏡設計，低電壓下仍具有出色的分辨率，大大提高了其成像能力。與一般電鏡的電磁物鏡相比，GAIA3具有較窄小的電磁物鏡，同時InBeam-SE探頭和InBeam-BSE探頭的位置都位于透鏡內，這些設計都為FIB及其他分析設備提供了充足空間，使之能夠在樣品表面完成多項工作。

GAIA3的突出特點

·單極60°電磁物鏡設計，的SEM分辨率

·的多種成像模式—大視場模式，分辨率模式以及景深模式—這些功能都基于TESCAN*的大視場光學系統設計

·馬達控制的精準樣品臺，可進行精確的移動或傾轉操作

·Field-free模式下可對磁性樣品進行有效觀察

·高達200nA的束流強度

·停留時間低至20ns的快速電子束刻蝕速度

·FIB的Cobra光學系統，確保聚焦離子束*的分辨率和優(yōu)異的性能，離子束流為1pA到50nA

·強大的DrawBeam軟件包，包含許多可編程設計模塊（基礎版和高級版）來實現掃描及制樣等過程中可調參數的多樣化

·不僅具有對樣品表面進行修飾和觀察的多種功能，完美的空間設計還能夠使電鏡通過接口兼容多種探測設備與技術手段，且還能保持一致的較佳分析工作距離

GAIA3-- 場發(fā)射掃描電鏡的功能特點

對納米尺度物質的成像分析及控制，是當今順利開展研究工作的關鍵，這要求前沿的技術手段具有分辨率、準確度、可重復性、穩(wěn)定性以及靈活性等多方面的優(yōu)異性能。

在前幾代電鏡系統的成功基礎上，TESCAN推出了GAIA3新一代電鏡系統。它保持了SEM的納米級分辨率特征，同時還集成了*的COBRA-FIB聚焦離子束功能，使新一代GAIA3電鏡擁有更加多元化的分析設備兼容性，提高了分析范圍和分析能力。

GAIA3-- 場發(fā)射掃描電鏡的一個突出優(yōu)點在于它低電壓下的掃描電子成像功能，分辨率很高。這對于研究電子敏感材料或是導電性差的樣品極為重要，低電壓可以降低電子與材料相互作用，從而保證好的分辨率同時還能獲得好的低電壓襯度。

COBRA-FIB聚焦離子束系統是一項l較好技術，不論成像拍照還是樣品微觀加工，都能保持很高的尺寸分辨率，是納米工程領域較佳的FIB設備。