基于PIPS探測(cè)器的中子探測(cè)器為中子探測(cè)和成像提供了小型化的解決方案。由于中子不帶電荷，測(cè)量中子通常利用中子同某些材料發(fā)生反應(yīng)的次級(jí)效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。這里我們使用的中子轉(zhuǎn)換膜是基于10B (n,a) 7Li反應(yīng)或6Li (n,a) 3H反應(yīng)，用PIPS探測(cè)器來(lái)測(cè)量反應(yīng)產(chǎn)物（7Li+α或3H +α），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)中子的探測(cè)。
成都晶威科技有限公司采用新型鈍化離子注入平面硅探測(cè)器（PIPS）來(lái)探測(cè)轉(zhuǎn)換膜的次級(jí)帶電粒子。PIPS探測(cè)器具有能量分辨率高（<1%）、工作偏壓低、死層厚度小、漏電流小、等優(yōu)點(diǎn)。
采用半導(dǎo)體制成的中子探測(cè)器，具有體積小、成本低廉、工作偏壓低（通常<100V）、時(shí)間相應(yīng)快（ns量級(jí)）、位置分辨率高（微米量級(jí)）、對(duì)磁場(chǎng)不靈敏、能量線性好等特點(diǎn)。
對(duì)于有效面積為1cm2 的PIPS中子探測(cè)器，如采用6LiF 轉(zhuǎn)換層，探測(cè)效率約為4.8%。
中子劑量測(cè)量范圍：≥1.0μsV/h
能量相應(yīng)范圍：熱中子-10MeV
應(yīng)用領(lǐng)域
中子個(gè)人劑量計(jì)
便攜式中子劑量計(jì)
中子散射
中子測(cè)井
裂變材料檢測(cè)和測(cè)量
中子成像/照相
反應(yīng)堆中子通量測(cè)量