射線光電子能譜技術（XPS）是電子材料與元器件顯微分析中的一種*分析技術，而且是和俄歇電子能譜技術（AES）常常配合使用的分析技術。由于它可以比俄歇電子能譜技術更準確地測量原子的內層電子束縛能及其化學位移，所以它不但為化學研究提供分子結構和原子價態方面的信息，還能為電子材料研究提供各種化合物的元素組成和含量、化學狀態、分子結構、化學鍵方面的信息。它在分析電子材料時，不但可提供總體方面的化學信息，還能給出表面、微小區域和深度分布方面的信息。另外，因為入射到樣品表面的X射線束是一種光子束，所以對樣品的破壞性非常小。這一點對分析有機材料和高分子材料非常有利。

X射線光電子能譜分析儀（XPS）技術指標：

　　真控系統性能：5×10-10mbar

　　單色器空間分辨率：≤20microns

　　單色器能量分辨率：：≤0.45eV

　　單色器（大面積）能量分辨率：：400000cps（FWHM≤0.50Ev）

X射線光電子能譜分析儀（XPS）應用領域：

   1）對固體樣品的元素成分進行定性、定量或半定量及價態分析。

   2）固體樣品表面的組成、化學狀態分析，廣泛應用于元素分析、多相研究、化合物結構鑒定、富集法微量元素分析、元素價態鑒定。

　3）對氧化、腐蝕、摩擦、潤滑、燃燒、粘接、催化、包袱等微觀機理研究；

   4）分子生物化學以及三維剖析如界面及過渡層的研究等方面有所應用。