佰力博高溫四探針測(cè)試儀采用*雙電測(cè)四探針測(cè)量原理，專門用于評(píng)估半導(dǎo)體薄膜和薄片的導(dǎo)電性能，該系統(tǒng)采用直排四探針測(cè)量原理和單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)研發(fā)，可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。高溫測(cè)量過程中，控溫精度可達(dá)到±1℃。

雙電測(cè)組合

目前雙電測(cè)組合（亦稱雙位組合）四探針法有三種模式：I13V24和I14V23模式（1），I12V34和I14V23模式（2），I12V34和I13V24模式（3），HRMS-800高溫四探針測(cè)試儀采用模式（2），通過用計(jì)算機(jī)對(duì)三種模式的理論進(jìn)行比較研究的結(jié)果證明：對(duì)無窮大被測(cè)片三種模式都一樣，可是測(cè)量小片或大片邊緣位置時(shí)，模式（2）更好，它能自動(dòng)消除邊界影響，略優(yōu)于模式（3），更好于模式（1）

技術(shù)參數(shù)

規(guī)格特點(diǎn)：

★ 可以實(shí)現(xiàn)常溫、高溫、真空、氣氛條件下測(cè)量半導(dǎo)體薄膜材料的電學(xué)性能；

★ 可以測(cè)量半導(dǎo)體薄膜和薄片材料的方塊電阻、電阻率；

★ 可以實(shí)現(xiàn)常溫、變溫、恒溫條件的I-V、R-T、R-t等測(cè)量功能；

★ 可以通過輸入樣品的面積和厚度，軟件自動(dòng)計(jì)算樣品的電阻率ρv；

★ 可以分析電阻率ρv與溫度T的變化曲線；

★ 集成一體化設(shè)計(jì)，觸摸屏控制和顯示，具有的易用性；

★ 可以自動(dòng)調(diào)節(jié)施加在樣品的測(cè)試電壓，以防樣品擊穿；

★ 進(jìn)口纖維一體開模鑄造的高溫爐膛，最高耐溫1100℃，配有超溫報(bào)警電路；

★ 耐高溫四探針夾具，碳化鎢探針，99氧化鋁陶瓷絕緣；

★ 可以通過USB傳輸數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)格式為Excel格式。