靶材材質 | 金、銀、鉑 | 靶材尺寸 | φ50mm |
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產地類別 | 國產 | 價格區間 | 5萬-10萬 |
濺射氣體 | 空氣、氬氣 | 控制方式 | 半自動 |
樣品倉尺寸 | 160mm×120mm(D×H)mm | 樣品臺尺寸 | 70mm |
應用領域 | 醫療衛生,石油,地礦,汽車,綜合 | 濺射方式 | 磁控濺射 |
濺射速錄 | 0-40nm | 金 | 濺射一分鐘電阻可達幾歐姆 |
顆粒 | 5-20nm | 材料 | 減少對熱敏材料的損傷 |
電流 | 0-100MA | 濺射溫度 | 常溫-50° |
SD-900M磁控濺射儀鍍膜儀博遠微納SD-900M 型離子濺射儀外觀亮麗做工精致。
磁控濺射是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點,磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場,利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。
配有高位定性的飛躍真空泵
SD-900M磁控濺射儀博遠微納朗
The SD-900M ion sputtering apparatus has beautiful appearance and exquisite workmanship.
Magnetron sputtering is a kind of Physical Vapor Deposition (PVD). The general sputtering method can be used to prepare materials such as metal, semiconductor, insulator and so on. It has the advantages of simple equipment, easy control, large coating area and strong adhesion. The magnetron sputtering method has achieved high speed, low temperature and low damage. Because of the high velocity sputtering at low pressure, the ionization rate of gas must be increased effectively. Magnetron sputtering improves the plasma density by increasing the plasma density by introducing magnetic field on the cathode surface and confining the charged particles by magnetic field.
Equipped with high stability of vacuum pump
濺射氣體 | 濺射靶材 | 濺射電流 | 濺射速率 | 樣品倉尺寸 | 樣品臺尺寸 | 工作電壓 |
根據實驗目的可添加氬氣,氮氣等多種氣體。 | 標配靶材為金靶, 厚度為50mm*0.1mm。 也可根據 實際情況配備 銀靶、鉑靶等。 | 電流 50mA,工作電流30mA | 優于60nm/min | 直徑160mm,高120mm | 樣品臺尺寸 可安裝直徑50mm 和直徑70mm的 樣品臺, 也可根據 自身要求定制樣品臺 | 220V (可做110V), 50HZ |
電子束敏感的樣品 | 非導電的樣品 | 新材料 |
主要包括生物樣品, 塑料樣品等。S EM中 的電子束具有較高能量, 在與樣品的相互作用 過程中,它以熱的形式 將部分能量傳遞給樣品。 如果樣品是對電子束 敏感的材料,那這種相互 作用會破壞部分 甚至整個樣品結構。 這種情況下,用一種 非電子束敏感材料制備 的表面鍍層就可以起到 保護層的作用,防止此 類損傷; | 由于樣品不導電, 其表面帶有“電子陷阱”, 這種表面上的電子積累 被稱為“充電”。 為了消除荷電效應, 可在樣品表面鍍一層 金屬導電層,鍍層作為 一個導電通道, 將充電電子從材料 表面轉移走,消除 荷電效應。在掃描電鏡 成像時,濺射材料 增加信噪比,從而獲 得更好的成像質量。 | 非導電材料實驗電極 制作觀察導電特性 |