IGBT試驗臺系列

高溫阻斷試驗臺

阻斷（或反偏）耐久性試驗是在一定溫度下，對半導(dǎo)體 器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規(guī)定的時間，從而對器件進(jìn) 行質(zhì)量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。        

一般情況下，此項試驗是對器件在結(jié)溫（Tjm ℃）和規(guī)定的 交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應(yīng)力組合下，進(jìn)行規(guī)定時間的 試驗，并根據(jù)抽樣理論和失效判定依據(jù)，確認(rèn)是否通過， 同時獲 取相關(guān)試驗數(shù)據(jù)。       

該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)試驗要求。可供半導(dǎo)體器件配以適當(dāng)?shù)臏囟瓤煽匮b置， 作交流阻斷（或反偏）耐久性/ 篩選試驗。能滿足IGBT進(jìn)行高溫反 偏耐久性試驗、高溫漏電流測試（HTIR）和老煉篩選。

系統(tǒng)組成

漏電流保護(hù)回路 試驗電壓保護(hù)回路

在每一試品試驗回路中都配置有0.1A的保險絲，當(dāng)試品在試驗期內(nèi)發(fā) 生劣化或突然擊穿或轉(zhuǎn)折，保險絲將熔斷，設(shè)備面板上的相應(yīng)工位的 氖燈點亮示警，同時蜂鳴器報警提示。

試驗電壓由衰減板衰減取樣后反饋到控制單元，通過峰保器輸出與電 壓設(shè)定值比較，當(dāng)試驗電壓高于電壓保護(hù)設(shè)定值時，過壓報警器響， 同時保護(hù)繼電器動作切斷高壓輸出。

高壓回路

電特性參數(shù)測試回路 試驗電壓 試品漏電流

由電源開關(guān)、控制繼電器、自藕調(diào)壓器、高壓變壓器、波形變換電路 組成，產(chǎn)生規(guī)定的試驗電壓并通過組合高壓線排，接入試品工位。

由電壓取樣回路，經(jīng)采集、保持 電路送到設(shè)備的數(shù)字電壓表顯示；

對每一試品漏電流獨立采樣，通 過設(shè)備上的波段開關(guān)分別進(jìn)行轉(zhuǎn) 換，傳送到數(shù)字電流表顯示。

技術(shù)指標(biāo)

試驗電壓  VDRM.VRRM/VRRM   300V ~ 4000V 連續(xù)可調(diào)， 50HZ工頻 試驗電流 IDRM.IRRM/IRRM   1.0 mA ~200.0mA

試驗溫度

溫度范圍：室溫～150℃；溫度均勻性125℃±3℃； 溫度波動度±0.5℃

試驗工位  10工位 試驗容量 80×16=1280位

加電方式

器件試驗參數(shù)從器件庫中導(dǎo)入，ATTM自動加電試驗 方式，可單通道操作；老化電源可根據(jù)設(shè)定試驗電壓 和上電時間程控步進(jìn)加載

高壓反偏試驗臺

技術(shù)指標(biāo)

0.01mA～2mA 0.01mA~1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測試條件： 反向電壓：直流50～5000V ±3%±10V.

器件在特定溫度下存儲一定時間后，先測試IR ，每只 器件依次進(jìn)行測試，測試間隔時間為約1S。然后同時 測試BVR，依次采集電流。間隔時間為約100mS。

50V～5000V ±3%±10V。 測試條件： 反向電流：0.01mA～2mA；直流方波。 0.01mA~1mA±3%±0.01mA； 1mA～2mA±3%±0.1mA。

靜態(tài)參數(shù)測試 高壓反偏測試

測試 參數(shù) IR

測試 參數(shù) BVR

測試 方法

試驗電壓： 50～5000V ±3%±10V 器件漏電流測試范圍： 0.01mA～2mA 0.01mA～1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測試時間：計算機(jī)設(shè)定 測試方法： 器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設(shè)定電壓下對每只器件同 時持續(xù)加反壓進(jìn)行測試，每隔1-2秒刷新一遍輸出的測試結(jié)果， 監(jiān)控各器件反壓下漏電流參數(shù)，并保存測試數(shù)據(jù)。

功能指標(biāo)

-50 ºC～140ºC ±1 -50℃～RT ≤±2℃(空載時) ≤±3℃(空載時) 不小于1～3℃/min（空載時） 220V±10%,50Hz±1Hz，安全接地

試驗高低溫度范圍 高低溫箱溫控精度 溫度范圍 溫度波動 溫度均勻 升溫速率 供電電源

規(guī)格

尺       寸：1800×650×500（mm）

質(zhì)       量：175kg

測試工位：20工位

工位轉(zhuǎn)換：自動切換

耐溫范圍：-50ºC～140ºC

基礎(chǔ)規(guī)格 設(shè)備

高壓反偏試驗 1套 PC 機(jī)  1臺 控制軟件 1套 溫度箱 1臺

正向壽命試驗臺

系統(tǒng)概述

     絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，

簡稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等

許多優(yōu)點，

        但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運

行環(huán)境復(fù)雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測技術(shù)以提高變流器運行可靠性。

技術(shù)指標(biāo)

測試參數(shù) VF

0.01～20V 0.01～10V±3%±0.01V 10～20V±3%±0.1V

測試條件 正向電流：1mA～60A  直流方波 脈寬 50uS-1mS 工位 20只

測試方法

器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設(shè)定電流后 按規(guī)定施加條件對被試器件依次進(jìn)行測試，測試間 隔時間約100mS