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NPE-4000(M) PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
- 公司名稱 德國韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司
- 品牌
- 型號
- 產(chǎn)地 德國
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2017/3/3 10:58:33
- 訪問次數(shù) 1427
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PECVD沉積技術(shù)
NPE-4000(M) PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述:NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到zui大可達12" 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無論是等離子強度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統(tǒng)可以覆蓋zui廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
NPE-4000(M) PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)應(yīng)用:
- 等離子誘導(dǎo)表面改性:就是通常所說的用等離子實現(xiàn)表面改性(如親水性、疏水性等)
- 等離子清洗:去除有機污染物
- 等離子聚合:對材料表面產(chǎn)生聚合反應(yīng)
- 沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類金剛石),以及其它薄膜
- CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長:在需要的位置生長CNT或石墨烯。
特點:
- 獨立型立式系統(tǒng)
- 不銹鋼或鋁制腔體
- 極限真空可達10-7Torr
- RF淋浴頭,HCD或微波等離子源
- 高達12"(300mm)直徑的樣品臺
- RF射頻偏壓樣品臺
- 水冷樣品臺
- 可加熱到的800 °C樣品臺
- 加熱的氣體管路
- 加熱的液體傳送單元
- 抗腐蝕的渦輪分子泵組
- 1路載體氣體以及3路反應(yīng)氣體,帶MFC
- 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
- 菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護
- 完整的安全聯(lián)鎖