激光分子束外延系統（LMBE）是在傳統的分子束外延（MBE）和脈沖激光沉積系統（PLD）的基礎上發展而來的，PLD與提供原位監測的反射高能電子衍射儀（RHEED）相結合，使得系統能夠實現類似于MBE的，單原子層精度的薄膜生長。相比于MBE的熱蒸發，它是使用脈沖激光的高能量使材料蒸發甚至電離，因此被稱作Laser MBE（激光分子束外延系統）。LMBE屬于薄膜制備設備，適用于生長各種納米尺度的單層膜或多層膜。

（LMBE）

荷蘭TSST（Twente Solid State Technology BV）公司生產的LMBE產品，基于荷蘭Twente 大學的原始設計，并且能夠滿足不同客戶的需求，具有很大的靈活性。公司自成立以來，一直致力于PLD/LMBE系統的研發與生產，客戶通過使用我們的產品，取得了豐碩的科研成果。

產品特點及優勢：

• 超高真空沉積腔體，本底真空優于10^-9mbar。
• 可集成多種薄膜制備和表面分析設備，如磁控濺射源、離子源、STM、XPS等。
• 可以通過軟件編寫工藝流程，系統自動執行，可實現多層膜的自動化生長。
• 提供原位監測的RHEED的電子槍通常需要工作在較高的真空環境下（小于10^-6mbar），但LMBE系統在成膜過程中往往需要較高的工藝壓力，我們的LMBE采用的是STAIB公司生產的差分抽氣RHEED，系統的zui高工作氣壓可達100Pa。
• 為了減小在使用RHEED時，磁場對電子束的影響，我們的LMBE系統能穩定加熱電流，同時使用抗磁場金屬外殼來保護電子槍。
• TSST公司是高壓RHEED的發明人，其在RHEED結果的分析上造詣很深，可以為用戶提供結果分析建議。

RHEED振蕩曲線

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