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LD-GAP1000 美國GPD銦鎵砷InGaAs光電探測器（0.5um-2.6um）

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品標(biāo)簽

銦鎵砷光電探測器美國 InGaAs

在線交流發(fā)送詢價進(jìn)入商鋪同類產(chǎn)品

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公司介紹 主營產(chǎn)品

西安立鼎光電科技有限公司是一家專業(yè)從事短波紅外成像系統(tǒng)及光電測試裝備的研發(fā)生產(chǎn)、系統(tǒng)集成、銷售服務(wù)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司專注于為客戶提供從元件、組件、部件到全套光電系統(tǒng)產(chǎn)品的完整解決方案。

近年來，公司研制的短波紅外成像系統(tǒng)在激光光斑檢測、半導(dǎo)體檢測、激光通信、光譜成像、激光切割、生物醫(yī)療、天文觀測、安防、星敏感器、激光制導(dǎo)、反偵聽、激光測振等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

多年來，根據(jù)用戶需求定制的多款光電測試裝備，為用戶產(chǎn)品的性能指標(biāo)保證發(fā)揮了重要作用，得到了客戶的高度認(rèn)可。

展開

全波段光電探測器（0.2-26um），短波紅外相機(0.9-1.7um)，紅外熱像儀，微光夜視儀，成像機芯(0.9-1.7um/3-5um/8-14um)，EMCCD/SCMOS相機，光功率計/能量計，光譜分析儀，光纖滑環(huán)，激光器，激光測距機

美國GPD銦鎵砷InGaAs光電探測器（0.5um-2.6um）

InGaAs探測器產(chǎn)品介紹

Paremeter	Active area（mm）	Cut off wavelength	A/W min. (typ.)	NEP W/ÖHz min.	Dark Current max.	Package
LD-GAP500	05	1.7um	0.95@1550nm	0.8x10^-14	30 @5V(nA)	TO46
LD-GAP1000	1	1.7um	0.95@1550nm	1x 10^-14	100 @5V(nA)	TO46
LD-GAP2000	2	1.7um	0.95@1550nm	3 x10^-14	200 @1V(nA)	TO5
LD-GAP3000	3	1.7um	0.95@1550nm	5 x10^-14	500 (@1V(nA)	TO5
LD-GAP5000	5	1.7um	0.95@1550nm	28 x10^-14	10mA(@0.3V(nA)	TO5
LD-GAP300-1.9	0.3	1.9um	0.9/1.0	3 x10^-14	0.1@1V(uA)	TO46
LD-GAP500-1.9	0.5	1.9um	0.9/1.0	9 x10^-14	0.9@1V(uA)	TO46
LD-GAP1000-1.9	1	1.9um	0.9/1.0	0.13 x10^-12	4@1V(uA)	TO46
LD-GAP2000-1.9	2	1.9um	0.9/1.0	0.26x10^-12	10@1V(uA)	TO5
LD-GAP3000-1.9	3	1.9um	0.9/1.0	0.38 x10^-12	22.5@1V(uA)	TO5
LD-GAP300-2.05	0.3	2.05um	0.9/1.0	5.7 x10^-14	0.5@1V(uA)	TO46
LD-GAP500-2.05	0.5	2.05um	0.9/1.0	8.1 x10^-14	1@1V(uA)	TO46
LD-GAP1000-2.05	1	2.05um	0.9/1.0	23.4 x10^-14	4@1V(uA)	TO46
LD-GAP2000-2.05	2	2.05um	0.9/1.0	42.8 x10^-14	10@1V(uA)	TO5
LD-GAP3000-2.05	3	2.05um	0.95/1.1	90.7 x10^-14	12@0.5V(uA)	TO5
LD-GAP300-2.2	0.3	2.2um	0.9/1.0	0.14x10^-12	1@1V(uA)	TO46
LD-GAP500-2.2	0.5	2.2um	0.9/1.0	0.22x10^-1²	5@1V(uA)	TO46
LD-GAP1000-2.2	1	2.2um	0.9/1.0	0.46x10^-12	10@1V(uA)	TO46
LD-GAP2000-2.2	2	2.2um	0.9/1.0	1.28 x10^-12	40@1V(uA)	TO5
LD-GAP3000-2.2	3	2.2um	0.9/1.0	2.87x10^-12	100@1V(uA)	TO5
LD-GAP300-2.6	0.3	2.6um	0.9/1.0	0.81x10^-12	13@1V(uA)	TO46
LD-GAP500-2.6	0.5	2.6um	0.9/1.0	1.43x10^-12	20@0.5V(uA)	TO46
LD-GAP1000-2.6	1	2.6um	0.9/1.0	2.03x10^-12	80@0.5V(uA)	TO46
LD-GAP2000-2.6	2	2.6um	1.0	3.31x10^-12	320@0.5V(uA)	TO5
LD-GAP3000-2.6	3	2.6um	1.0	5.74x10^-12	500@0.5V(uA)	TO5

提供專業(yè)定制，封裝形式多樣，可根據(jù)客戶要求選擇封裝形式，并客戶可依據(jù)需求定制不同的封裝的產(chǎn)品以及可定制TE制冷產(chǎn)品。

美國GPD銦鎵砷InGaAs光電探測器（0.5um-2.6um）

Paremeter	Active area（mm）	Cut off wavelength	A/W min. (typ.)	NEP W/ÖHz min.	Dark Current max.	Package
LD-GAP1000TE1	1	1.7um	0.95/1.0	5.4x10^-15	3@5V(nA)	TO5/TO37/TO8/TO66
LD-GAP2000TE1	2			1.1x10^-14	20@2V(nA)
LD-GAP3000TE1	3			1.1x10^-14	50@2V(nA)
LD-GAP5000TE1	5			2.4x10^-14	100@0.1V(nA)
LD-GAP1000TE1-2.05	1	2.05um	0.9/1.0	5.4x10^-14	500@1V(nA)	TO5/TO37/TO8/TO66
LD-GAP2000TE1-2.05	2			1.3x10^-13	1100@1V(nA)
LD-GAP3000TE1-2.05	3			3.2x10^-13	1360@1V(nA)
LD-GAP1000TE1-2.2	1	2.2um	0.9/1.0	1.6x10^-13	1250@1V(nA)	TO5/TO37/TO8/TO66
LD-GAP2000TE1-2.2	2			1.1x10^-12	5000@1V(nA)
LD-GAP3000TE1-2.2	3			5.5x10^-13	6250@0.5V(nA)
LD-GAP1000TE1-2.6	1	2.6um	0.9/1.0	6x10^-13	8000@0.5V(nA)	TO5/TO37/TO8/TO66
LD-GAP2000TE1-2.6	2			9.8x10^-13	32000@0.5V(nA)
LD-GAP3000TE1-2.6	3			1.7x10^-12	50000@0.5V(nA)
LD-GAP1000TE2	1	1.7um	0.95/1.0	3.7x10^-15	2@5V(nA)	TO8/TO66
LD-GAP2000TE2	2			5.3x10^-15	10@2V(nA)
LD-GAP3000TE2	3			7.5x10^-15	20@2V(nA)
LD-GAP5000TE2	5			1.7x10^-14	50@0.1V(nA)
LD-GAP1000TE2-2.05	1	2.05um	0.9/1.0	3.7x10^-14	200@1V(nA)	TO8/TO66
LD-GAP2000TE2-2.05	2			9.6x10^-14	240@1V(nA)
LD-GAP3000TE2-2.05	3			2x10^-13	700@0.5V(nA)
LD-GAP1000TE2-2.2	1	2.2um	0.9/1.0	1.2x10^-13	700@1V(nA)	TO8/TO66
LD-GAP2000TE2-2.2	2			2.9x10^-13	2900@1V(nA)
LD-GAP3000TE2-2.2	3			4.1x10^-13	3600@0.5V(nA)
LD-GAP1000TE2-2.6	1	2.6um	0.9/1.0	4x10^-13	3600@0.5V(nA)	TO8/TO66
LD-GAP2000TE2-2.6	2			6.5x10^-13	14500@0.5V(nA)
LD-GAP3000TE2-2.6	3			1.1x10^-12	22700@0.5V(nA)