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化工儀器網>產品展廳>光學儀器及設備>光學測量儀>橢偏儀>ESS03 波長掃描式 多入射角光譜橢偏儀

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ESS03 波長掃描式 多入射角光譜橢偏儀

具體成交價以合同協議為準

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   公司成立于2004年,在同行業中Z早獲得*,擁有多項,其中“太陽能電池測試系統”、“光譜儀”、“精密位移臺”三大系列產品被市科委、市*等5部門評為“北京市自主創新產品”,并列入政府采購目錄。公司于2009年9月取得ISO9001質量體系認證。

賽凡擁有兩大核心技術:光譜測試技術,精密運動控制技術

     主要產品系列:太陽能電池光譜響應/IPCE/QE測試儀,太陽能電池I/V性能測試儀,太陽模擬器,橢偏儀,CCD光電性能測試儀,熒光/拉曼/發射/透反吸/探測器光譜測試系統,光柵光譜儀,CCD光譜儀,科研級光源,光電探測器,數據采集器,精密定位系統,電動/手動精密位移臺,光具座,光學平臺等。

     公司自成立以來,始終秉持質量*,滿足用戶的經營理念,在注重提升自身研發能力的同時,和多家科研院所保持緊密合作關系,共同創建光電實驗室,保證產品的*性和適用性。其中太陽能光伏實驗室,為各類太陽能電池(單晶硅,多晶硅,薄膜電池,染料敏化電池等)的光譜響應測試及膜厚控制提供了完整解決方案。

      我們始終如一,用心為您提供良好完整的解決方案,為您提供專業高效的技術支持,為您提供快速響應的售后服務,我們的追求就是讓您始終滿意,始終信任,始終選擇 !


單色儀,光源,太陽模擬器,太陽能電池測試系統,平移臺,精密調整系統,光學平臺

ES0S3是針對科研和工業環境中薄膜測量領域推出的波長掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀,此系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外、到遠紅外。

ESS03采用寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量。

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(如,膜層厚度、表面微粗糙度等)和光學參數(如,折射率n、消光系數k、復介電常數ε等),也可用于測量塊狀材料的光學參數。

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。

技術特點:

  • 極寬的光譜范圍

    采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統光學設計,保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準確度,非常適合于對光譜范圍要求極其嚴格的場合。

  • 靈活的測量設置

    儀器的多個關鍵參數可根據要求而設定(包括:波長范圍、掃描步距、入射角度等),*地提高了測量的靈活性,可以勝任要求苛刻的樣品。

  • 原子層量級的檢測靈敏度

    *的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級地納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。

  • 非常經濟的技術方案

    采用較經濟的寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量,儀器整體成本得到有效降低。

     

應用領域:

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。

ESS03適合很大范圍的材料種類,包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體地臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。

ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。

薄膜相關應用涉及物理、化學、信息、環保等,典型應用如:

  • 半導體:如:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等);
  • 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;
  • 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;
  • 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
  • 節能環保領域:LOW-E玻璃等。

ESS03系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。典型應用包括:

  • 玻璃新品研發和質量控制等。

技術指標:

項目

技術指標

光譜范圍

ESS03VI:370-1700nm

ESS03UI:245-1700nm

光譜分辨率(nm)

可設置

入射角度

40°-90°手動調節,步距5,重復性0.02

準確度

δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° 

(透射模式測空氣時)

膜厚測量重復性(1)

0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)

折射率n測量重復性(1)

0.001 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)

單次測量時間

典型0.6s / Wavelength / Point(取決于測量模式)

光學結構

PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有*的準確度)

可測量樣品zui大尺寸

直徑200 mm

樣品方位調整

高度調節范圍:10mm

二維俯仰調節:±4°

樣品對準

光學自準直顯微和望遠對準系統

軟件

•多語言界面切換

•預設項目供快捷操作使用

•安全的權限管理模式(管理員、操作員)

•方便的材料數據庫以及多種色散模型庫

•豐富的模型數據庫

選配件

自動掃描樣品臺

聚焦透鏡

    注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。



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