GaN薄膜
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司
- 品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/10/22 11:34:08
- 訪問次數(shù) 1431
產(chǎn)品標(biāo)簽
聯(lián)系方式:朱沫浥18255163376 查看聯(lián)系方式
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產(chǎn)品名稱: | 氮化鎵(GaN)薄膜 | ||||||||||||||||
產(chǎn)品簡介: | 氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。在HVPE過程中,鹽酸反應(yīng)生成GaCl,而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化鎵單晶基板。 | ||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù): |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |