半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀
參考價(jià) | ¥ 6955 |
訂貨量 | ≥1 件 |
- 公司名稱 寧波瑞柯微智能科技有限公司
- 品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 浙江
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/6/13 7:35:54
- 訪問次數(shù) 7646
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堆密度儀,松裝密度儀,振實(shí)密度儀,四探針測(cè)試儀,堆積密度測(cè)定儀,安息角測(cè)定儀,電壓降測(cè)試儀,方阻測(cè)試儀,表面和體積電阻率測(cè)試儀
產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,農(nóng)業(yè),能源,印刷包裝 | 自動(dòng)化度 | 手動(dòng) |
半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀操作手冊(cè)
功能描述Description:
- 四探針組合雙電測(cè)量方法
- 液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.
- 集成電路系統(tǒng)、恒流輸出.
- 選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
- 提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面選擇
-
參照標(biāo)準(zhǔn):
1.硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)(ASTM F84).
2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》.
3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》.
4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》.
雙電組合測(cè)試方法:
利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試
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半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀操作手冊(cè)
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規(guī)格型號(hào)/ model
FT-341
FT-342
FT-343
FT-345
FT-346
FT-347
1.方塊電阻
10-5~2×105Ω/□
10-4~2×105Ω/□
10-3~2×105Ω/□
10-3~2×104Ω /□
10-2~2×105Ω/□
10-2~2×104Ω/□
2.電阻率
10-6~2×106Ω-cm
10-5~2×106Ω-cm
10-4~2×106Ω-cm
10-4~2×105Ω-cm
10-3~2×106Ω-cm
10-3~2×106Ω-cm
3.測(cè)試電流
0.1μA.μA.0μA,100µA,1mA,10mA,100mA
1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA
0.1μA.μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA
1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA
0.1μA、1μA、10μA,100µA,1mA,10mA,100mA
1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA
4.電流精度
±0.1%
±0.2%
±0.2%
±0.3%
±0.3%
±0.3% accuracy
5.電阻精度
≤0.3%
≤0.3%
≤0.3%
≤0.5%
≤0.5%
≤0.5% accuracy
6.顯示讀數(shù)
屏液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率
7.測(cè)試方式
雙電測(cè)量
8.電源
輸入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:<30W
9.誤差
≤3%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果)
10.選購(gòu)功能
選購(gòu)1.pc軟件; 選購(gòu)2.方形探頭; 選購(gòu)3.直線形探頭; 選購(gòu)4.測(cè)試平臺(tái);5.標(biāo)準(zhǔn)電阻
11.測(cè)試探頭t
探針間距選購(gòu):1mm;2mm;3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購(gòu):碳化鎢針;白鋼針;鍍金磷銅半球形針