單(多)晶硅少子壽命測試儀
- 公司名稱 上海璟瑞科學儀器有限公司
- 品牌
- 型號
- 產地
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2018/5/14 9:00:00
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產地類別 | 國產 |
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單(多)晶少子壽命測試儀
型號LT-2
LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國A.S.T.M標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量,是半導體的常規測試項目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單(多)晶,以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
本儀器根據通用方法高頻光電導衰退法的原理設計,由穩壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。
技 術 指 標:
測試單晶電阻率范圍>2Ω.cm
可測單晶少子壽命范圍5μS~7000μS
配備光源類型波長:1.09μm;余輝<1μS;
閃光頻率為:20~30次/秒;
閃光頻率為:20~30次/秒;
高頻振蕩源用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz
前置放大器放大倍數約25,頻寬2Hz-1MHz
儀器測量重復誤差<±20%
測量方式采用對標準曲線讀數方式
儀器消耗功率<25W
儀器工作條件溫度:10-35℃、濕度<80%、使用電源:AC220V,50Hz
可測單晶尺寸斷面豎測:φ25mm—150mm;L2mm—500mm;
縱向臥測:φ25mm—150mm;L50mm—800mm;
配用示波器頻寬0—20MHz;
電壓靈敏:10mV/cm。
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