光刻工藝技術基礎-表面處理

表面處理-光刻膠的特性

跟空氣的界面：

如果表面活性不恰當，會形成涂花等光刻膠表面缺陷，一般的解決辦法 是添加表面活性劑，或改變涂膠條件（ e.g.閉蓋）。

跟襯底的界面：

如果表面活性不恰當，會引起脫膜或圖形移位等問題。解決辦法包括提高膠的粘附性、HMDS預處理和使用BARC。

表面處理

晶元容易吸附潮氣到它的表面。光刻膠黏附要求要嚴格的干燥表面， 所以在涂膠之前要進行脫水烘焙和 黏附劑的涂覆。脫水烘焙的溫度通 常在 140度到200度之間。有時還要用到黏附劑，黏附劑通常使用HMDS （六甲基二硅胺脘）。表面處理的主要作用是提高光刻膠與襯底之間 的粘附力，使之在顯影過程中光刻 膠不會被液態顯影液滲透。(如下圖)

HMDS 可以用浸泡、噴霧和氣相方法來涂覆。HMDS（六甲基二硅氮甲烷）把它涂到硅片表面后，通過加溫可反應生成以硅氧 烷為主題的化合物，這實際上是一種表面 活性劑，它成功地將硅片表面由親水 變為疏水，其疏水基可很好地與光刻膠結 合，起到耦合的作用，再者，在顯影 的過程中，由于它增強了光刻膠與基底的 粘附力，從而有效地抑制圖形移位。