315 | 賽默飛為半導(dǎo)體行業(yè)提供貨真價實的完整解決方案
條題為“以安全為由終止半導(dǎo)體*博通收購高通” 的新聞，在半導(dǎo)體行業(yè)圈引起了熱議，因為這筆交易如果達(dá)成，將是半導(dǎo)體行業(yè)迄今zui大的一筆收購。
為什么此行業(yè)會讓美國總統(tǒng)都如此關(guān)注呢？就讓小編給您簡單分析一下，并帶來我們?yōu)槟鷾?zhǔn)備的一大波干貨吧。通俗地說，我們?nèi)粘Ｉ钪械碾娨暀C(jī)、電腦及時刻不離手的手機(jī)中的核心單元都和半導(dǎo)體有極為密切的關(guān)聯(lián)。
在《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資資金的推動下，中國半導(dǎo)體市場已成為增長引擎。半導(dǎo)體之于集成電路，如同土地之于城市。世界各國都把集成電路產(chǎn)業(yè)作為戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)來對待，競相投入大量的人力、物力和資金。所以，很多觀點認(rèn)為，如果美國總統(tǒng)不制止這項收購計劃，博通收購高通后將一家獨大，這將嚴(yán)重影響美國在該領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步速度，可能導(dǎo)致美國今后在移動通訊領(lǐng)域的競爭中處于下風(fēng)。
但是，對國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展非常重要的半導(dǎo)體行業(yè)卻面臨一些技術(shù)難題，如單晶硅錠和晶圓的品質(zhì)、清洗劑和刻蝕劑中的離子態(tài)雜質(zhì)、金屬雜質(zhì)、有機(jī)物雜質(zhì)等，會使生產(chǎn)良率受到影響，從而導(dǎo)致經(jīng)濟(jì)效益下降。
賽默飛可為半導(dǎo)體及相關(guān)行業(yè)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)提供技術(shù)支撐及完整解決方案，如痕量金屬元素及無機(jī)元素雜質(zhì)檢測方案、痕量離子態(tài)雜質(zhì)檢測方案、RoHS解決方案、環(huán)境安*方案，滿足分析需求。
在正舉辦的中國半導(dǎo)體設(shè)備和材料展（ SENICON CHINA）上，賽默飛推出了新品Thermo Scientific™ iCAP™ TQs ICP MS。
電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）可以輕松實現(xiàn)高純試劑（清洗劑和刻蝕劑）中痕量元素雜質(zhì)實驗室和在線分析、單晶硅錠和晶圓中痕量元素分析、wafer 表面痕量元素分析 及RoHS 指令中鉛（Pb）、鎘（Cd）、汞（Hg）、六價鉻（Cr ( VI )）等重金屬元素的測定。
而iCAP TQs ICP MS是信譽(yù)的iCAP TQ ICP-MS的半導(dǎo)體版本。它提供了超高純度化學(xué)品中快速、可靠和可重復(fù)的低水平污染物測量，以支持先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)過程的自動化在線監(jiān)測和統(tǒng)計過程控制。在一個高性能解決方案中提供了新的超低檢測水平和簡單性。有了這個新系統(tǒng)，如今將化學(xué)分析從實驗室移到工廠成為可能，并支持對化學(xué)浴進(jìn)行在線控制，從而優(yōu)化響應(yīng)時間。
提問
iCAP TQs ICP-MS功能如此強(qiáng)大，能解決哪些技術(shù)難題呢？
01痕量金屬及無機(jī)元素雜質(zhì)檢測方案
（1）VPD 溶液的分析
氣相分解- 電感耦合等離子體質(zhì)譜聯(lián)用（VPD-ICP-MS）法，具有業(yè)界所需的檢測限和穩(wěn)定性，測試結(jié)果快速可靠，廣泛應(yīng)用于硅晶片的測試，硅晶片的純度一般要求在99.9999999%以上。
純度要求如此之高，這就到了ICP-MS 大顯身手的時候了！
VPD 樣品中含有高含量的酸和硅基體，并且目標(biāo)檢測元素的含量通常也非常低，由于基體溶液會產(chǎn)生大量的多原子離子干擾（如表一所示），所以說VPD 溶液的測試是挑戰(zhàn)性的。為了得到更加的結(jié)果，干擾的去除是非常必要的，比如使用串接式等ICP-MS，高分辨ICP-MS 和使用碰撞反應(yīng)池等技術(shù)。
（2）半導(dǎo)體級異丙醇的分析
異丙醇（IPA）用清洗硅片的溶劑時，會與硅片表面直接接觸，因此，必須控制其痕量金屬雜質(zhì)濃度。采用靈敏高的ICP-MS 技術(shù)直接分析IPA 可為IPA 中超痕量分析物（ng • L-1）提供有用的控制，并避免由樣品制備引起的污染。
ICAP TQs ICP-MS 結(jié)合了三重四極桿和冷等離子體技術(shù)，該高度靈活的方法實現(xiàn)了半導(dǎo)體行業(yè)分析所需的超痕量背景等效濃度（BEC）和檢測限（LOD）。
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校正數(shù)據(jù)
圖 4 顯示了 IPA 中 Li、P、K、Ti、As、Zr 和 Ta 的校正曲線。采用校正標(biāo)準(zhǔn)品在 ng·L-1 級水平范圍內(nèi)測得的校正曲線呈現(xiàn)出優(yōu)異的線性和靈敏度。通過三重四極桿模式和冷等離子體得到改善的干擾去除可實現(xiàn)更具挑戰(zhàn)性分析物的低背景噪聲。
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02 RoHS 解決方案
賽默飛為RoHS指令中的有害物質(zhì)多溴聯(lián)苯、多溴二苯醚阻燃劑、鄰苯二甲酸酯和多環(huán)芳烴等有害物質(zhì)的測定提供加速溶劑萃取（ASE）前處理、氣相色譜（GC）、氣相色譜- 質(zhì)譜聯(lián)用儀（GC-MS）和液相色譜儀（HPLC）等檢測技術(shù)，并提供原子吸收光譜儀（AAS）、電感耦合等離子發(fā)射光譜儀（ICP-OES）、電感耦合等離子體- 質(zhì)譜儀（ICP-MS）和離子色譜儀（IC）用于測定鎘、鉛和汞，分離并測定六價鉻。具體詳情可參考《RoHS 指令檢測產(chǎn)品及技術(shù)——色譜質(zhì)譜及光譜儀綜合解決方案》或與我們。
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