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當前位置：天津泰諾科學技術有限公司>>材料電鏡常規用品類>> TN-G0400單晶硅片
生長方法：直拉CZ
型號/摻雜劑： P型/硼 N型/磷、砷、銻
晶向： <100> / <111>
電阻率 (Ω.cm)： 0.001-50
徑向電阻率變化： (%) P< 6 N型 < 25
氧含量與公差： 5.0-7.8 × ± 0.5
徑向氧含量變化 (%) ：< 5
碳含量 (at )： ≤ 2.0×
金屬鐵含量 (at ) ：≤ 1.0×
厚度 (微米)：按SEMI標準或用戶要求
厚度公差 (微米) ：±15或用戶要求
產品名稱 | 規格 | 包裝 |
N、P型硅片 | 1英寸 100、111晶向 | 25片/盒 |
N、P型硅片 | 2英寸 100、111晶向 | 25片/盒 |
N、P型硅片 | 3英寸 100、111晶向 | 25片/盒 |
N、P型硅片 | 4英寸 100、111晶向 | 25片/盒 |
方型硅片（mm） | 3*3 5*5 8*8 10*10 15*15 20*20、、、 | |
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