目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光學(xué)無源器件>>光柵微透鏡陣列色散勻化片>> SNS-C11.7-1212-200-PLightsmyth納米圖案硅圖章 (硅片)
| 價格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 其他 | 參數(shù) | 見下表 |
| 名稱 | 貨號貨期 | |
|---|---|---|
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C11.7-1212-200-P C80030110 | 周期855 nm；槽深200 nm；占空比50%；尺寸12.5 x 12.5 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | S2D-24D3-0808-350-P C80030106 | 六角孔；周期700 nm；蝕刻深度350 nm；特征寬度290 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm。 |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | S2D-24D3-0808-150-P C80030111 | 六角孔；周期700 nm；蝕刻深度150 nm；特征寬度290 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm。 |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | S2D-24D2-0808-350-P C80030112 | 六角孔；周期600 nm；蝕刻深度350 nm；特征寬度180 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | S2D-24D2-0808-150-P C80030105 | 六角孔；周期600 nm；蝕刻深度150 nm；特征寬度180 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | S2D-24C3-0808-150-P C80030113 | 六角形立柱；周期700 nm；蝕刻深度150 nm；特征寬度220 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm。 |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | S2D-24C2-0808-350-P C80030102 | 六角形立柱；周期600 nm；蝕刻深度350 nm；特征寬度165 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | S2D-24B3-0808-350-P C80030114 | 矩形柱；周期700 nm；蝕刻深度350 nm；特征寬度260 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-24B3-0808-150-P C80030115 | 矩形柱；周期700 nm；蝕刻深度150 nm；特征寬度260 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-24B2-0808-350-P C80030104 | 矩形立柱；周期600 nm；蝕刻深度350 nm；特征寬度195 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm。 |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-24B2-0808-150-P C80030116 | 矩形柱；周期600 nm；蝕刻深度150 nm；特征寬度195 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm。 |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-18D3-0808-350-P C80030121 | 六角孔；周期700 nm；蝕刻深度350 nm；特征寬度200 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-18D3-0808-150-P C80030122 | 六角孔；周期700 nm；蝕刻深度150 nm；特征寬度200 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-18C3-0808-350-P C80030123 | 六角形立柱；周期700 nm；蝕刻深度350 nm；特征寬度290 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-18C3-0808-150-P C80030124 | 六角形立柱；周期700 nm；蝕刻深度150 nm；特征寬度290 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-18C2-0808-350-P C80030103 | 六角形立柱；周期600 nm；蝕刻深度350 nm；特征寬度240 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-18C2-0808-150-P C80030125 | 六角形立柱；周期600 nm；蝕刻深度150 nm；特征寬度240 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-18B3-0808-350-P C80030126 | 矩形柱；周期700 nm；蝕刻深度350 nm；特征寬度350 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-18B2-0808-150-P C80030127 | 矩形柱；周期600 nm；蝕刻深度150 nm；特征寬度275 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-18B3-0808-150-P C80030128 | 矩形柱；周期700 nm；蝕刻深度150 nm；特征寬度350 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸 8.0 x 8.3 mm) | S2D-18B2-0808-350-P C80030129 | 矩形柱；周期600 nm；蝕刻深度350 nm；特征寬度275 nm；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) (尺寸8.0 x 8.3x0.7mm) | S2D-24C2-0808-150-P C80030101 | 周期600nm；蝕刻深度150nm；特征寬度165nm；尺寸8.0 x 8.3x0.7mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C72-2525-50-P C80030109 | 周期 139nm；槽深 50nm；占空比 50%；尺寸 25.0 x 25.0 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C72-1212-50-P C80030152 | 周期 139nm；槽深 50nm；占空比 50%；尺寸 12.5 x 12.5 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C36-1212-110-P C80030151 | 周期 278nm；槽深 110nm；占空比 50%；尺寸 12.5 x 12.5mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C24-1212-110-P C80030150 | 周期 417nm；槽深 110nm；占空比 50%；尺寸 12.5 x 12.5mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C20-0808-350-D60-P C80030108 | 周期 500nm；槽深 350nm；占空比 60%；尺寸 8.0 x 8.3mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C20-0808-350-D45-P C80030149 | 周期 500nm；槽深 350nm；占空比 44%；尺寸 8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C20-0808-150-D60-P C80030148 | 周期 500nm；槽深 150nm；占空比 60%；尺寸 8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C20-0808-150-D45-P C80030147 | 周期 500nm；槽深 150nm；占空比 44%；尺寸 8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C18-2009-140-D50-P C80030107 | 周期 555nm；槽深 140nm；占空比 50%；尺寸 20.0 x 9 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C18-2009-140-D29-P C80030146 | 周期 555nm；槽深 140nm；占空比 29%；尺寸 20.0 x 9 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C18-2009-110-D50-P C80030145 | 周期 555nm；槽深 110nm；占空比 50%；尺寸 20.0 x 9 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C18-2009-110-D29-P C80030144 | 周期 555nm；槽深 110nm；占空比 29%；尺寸 20.0 x 9 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C16.7-0808-350-D55-P C80030143 | 周期 600nm；槽深 350nm；占空比 55%；尺寸 8.0 x 8.3mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C16.7-0808-350-D45-P C80030142 | 周期 600nm；槽深 150nm；占空比 55%；尺寸 8.0 x 8.3mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C16.7-0808-150-D55-P C80030141 | 周期 600 nm；槽深 150 nm；占空比 55%；尺寸 8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C16.7-0808-150-D45-P C80030140 | 周期 600nm；槽深 150nm；占空比 43%；尺寸8.0 x 8.3 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C16.5-5050-190-P C80030139 | 周期 606 nm；槽深 190 nm；占空比 50%；尺寸 50.0 x 50.0 mm；凈孔徑 49 x 49 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C16.5-2924-190-P C80030138 | 周期 606 nm；槽深 190 nm；占空比 50%；尺寸 29.15 x 24.35 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C16.5-2912-190-P C80030137 | 周期 606nm；槽深 190nm；占空比 50%；尺寸 29.15 x 12.15mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C14.8-2430-170-P C80030136 | 周期 675nm；槽深 170nm；占空比 32%；尺寸 24.0 x 30.4mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C14.8-2410-170-P C80030135 | 周期 675nm；槽深 170nm；占空比 32%；尺寸 24.0 x 10.0 mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C14.3-0808-350-D55-P C80030134 | 周期 700nm；槽深 350nm；占空比 55%；尺寸 8.0 x 8.3mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C14.3-0808-350-D45-P C80030133 | 周期 700nm；槽深 350nm；占空比 47%；尺寸 8.0 x 8.3mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C14.3-0808-150-D55-P C80030132 | 周期 700nm；槽深 150nm；占空比 55%；尺寸 8.0 x 8.3mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C14.3-0808-150-D45-P C80030131 | 周期 700nm；槽深 150nm；占空比 47%；尺寸 8.0 x 8.3mm |
| 線性硅納米印章(納米圖案硅片) | SNS-C11.7-2525-200-P C80030130 | 周期 855nm；槽深 200nm；占空比 50%；尺寸 25.0 x 25.0mm |
(LightSmyth Nanopatterned Silicon Stamps 納米圖案硅片)
LightSmyth提供了大量的納米加工單晶硅襯底，為工業(yè)和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)提供了一個低成本的納米光子學(xué)研究入口?；卓捎糜诠鈱W(xué)、光子學(xué)、生物學(xué)、化學(xué)、物理學(xué)（如中子散射）、聚合物研究、納米印跡、微流體學(xué)等領(lǐng)域。如果需要，基板可以涂上金屬或介質(zhì)涂層。大多數(shù)地表特征具有略微梯形的橫截面輪廓，具有直線平行的臺地和溝渠。晶格狀結(jié)構(gòu)也可用。提供了許多特征尺寸和溝槽深度?；宓膾呙桦婄R圖像可以在裝運(yùn)前拍攝，以驗證準(zhǔn)確的輪廓。
表中顯示的維度表示目標(biāo)值。周期精度優(yōu)于0.5%，槽深、線寬、間距與目標(biāo)值相差15%。文中給出了掃描電鏡圖。如果需要更精確的尺寸信息，LightSmyth可以提供您訂購的特定納米棉片的掃描電鏡，作為可選服務(wù)。
Lightsmyth納米圖案硅圖章 (納米圖案硅片),Lightsmyth納米圖案硅圖章 (納米圖案硅片)Nanopatterned Silicon Stamps
II-VI offers a large variety of nanomachined single crystal silicon substrates providing a low-cost entry into nanophotonics research for industry and academic institutions. The substrates may be used in a variety of applications in optics, photonics, biology, chemistry, physics (e.g. neutron scattering), polymer research, nanoimprinting, microfluidics and others. If desired, the substrates can be coated with metallic or dielectric coating. Most of the surface features have slightly trapezoidal cross-section profiles with straight parallel mesas and trenches. Lattice-like structures are available as well. A number of feature sizes and trench depth is available. SEM images of the substrates may be taken prior to shipment to verify the exact profile.
Dimensions shown in the table represent target value. Period has accuracy better than 0.5% while groove depth and the width of line and space may differ from the target values by 15%. SEM are given for illustration purposes. If more precise dimensional information is required, we may provide an SEM of the specific piece of nanostamp you order as an optional service
(LightSmyth Nanopatterned Silicon Stamps 納米圖案硅片)
描述 | 數(shù)據(jù) |
基材寬度高度誤差 | 標(biāo)準(zhǔn)公差±0.2 mm |
凈孔徑（CA） | 距基板邊緣0.5 mm（圖案可延伸至基板邊緣） |
基底厚度 | 0.675 ± 0.050 mm |
CA的表面質(zhì)量 | P／N以“p"結(jié)尾：劃痕/挖：最大劃痕寬度，最大最大直徑?？商峁└哌_(dá)20/10的規(guī)格 |
CA的表面質(zhì)量 | P/N以“-S"結(jié)尾：由于表面質(zhì)量而打折的等級。至少有80%的可用面積?？赡艹霈F(xiàn)80/100劃痕/挖痕/顆粒和不規(guī)則基底形狀 |
CA外表面質(zhì)量 | 無要求 |
Material材料 | 單晶硅，反應(yīng)離子刻蝕 |
2D Nanostamps
Part Number | 周期 Period(nm) | 晶體類型 Lattice Type | 槽深 Groove Depth(nm) | 特征寬度 Feature Width(nm) | Size(mm) |
S2D-18B2-0808-350-P | 600 | Rect Post | 350 | 275 | 8.0 x 8.3 |
S2D-18B3-0808-350-P | 700 | Rect Post | 350 | 350 | 8.0 x 8.3 |
S2D-18C2-0808-350-P | 600 | Hex Post | 350 | 240 | 8.0 x 8.3 |
S2D-18C3-0808-150-P | 700 | Hex Post | 150 | 290 | 8.0 x 8.3 |
S2D-18C3-0808-350-P | 700 | Hex Post | 350 | 290 | 8.0 x 8.3 |
S2D-18D3-0808-350-P | 700 | Hex Hole | 350 | 200 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24B2-0808-150-P | 600 | Rect Post | 150 | 195 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24B2-0808-350-P | 600 | Rect Post | 350 | 195 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24B3-0808-150-P | 700 | Rect Post | 150 | 260 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24B3-0808-350-P | 700 | Rect Post | 350 | 260 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24C2-0808-150-P | 600 | Hex Post | 150 | 165 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24C2-0808-350-P | 600 | Hex Post | 350 | 165 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24C3-0808-150-P | 700 | Hex Post | 150 | 220 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24D2-0808-150-P | 600 | Hex Hole | 150 | 180 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24D2-0808-350-P | 600 | Hex Hole | 350 | 180 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24D3-0808-150-P | 700 | Hex Hole | 150 | 290 | 8.0 x 8.3 |
S2D-24D3-0808-350-P | 700 | Hex Hole | 350 | 290 | 8.0 x 8.3 |
Linear Nanostamps (line+space)
型號 | 周期間隔(nm) | 槽深 (nm) | 占空比 | 線寬 (nm) | 尺寸 | SEM link1 | Top down |
SNS-C72-1212-50-P | 139 | 50 | 50% | 69.5 | 12.5×12.5×0.7 | X-sec | Top down |
SNS-C72-2525-50-P | 139 | 50 | 50% | 69.5 | 25×25×0.7 5 | X-sec | Top down |
SNS-C36-1212-110-P | 278 | 110 | 50% | 139 | 12.5×12.5×0.7 | X-sec | Top down |
SNS-C24-1212-110-P | 416.6 | 110 | 50% | 208 | 12.5×12.5×0.7 | X-sec | Top down |
SNS-C20-0808-150-D45-P | 500 | 150 | 44% | 220 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C20-0808-350-D45-P | 500 | 350 | 44% | 220 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C20-0808-150-D60-P | 500 | 150 | 60% | 300 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C20-0808-350-D60-P | 500 | 350 | 60% | 300 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C18-2009-110-D50-P | 555.5 | 110 | 50% | 278 | 20×9×0.7 | X-sec | Top down |
SNS-C18-2009-140-D50-P | 555.5 | 140 | 50% | 278 | 20×9×0.7 | X-sec | Top down |
SNS-C18-2009-110-D29-P | 555.5 | 110 | 29% | 158 | 20×9×0.7 | X-sec | Top down |
SNS-C18-2009-140-D29-P | 555.5 | 140 | 29% | 158 | 20×9×0.7 | X-sec | Top down |
SNS-C16.7-0808-150-D45-P | 600 | 150 | 43% | 260 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C16.7-0808-350-D45-P | 600 | 350 | 43% | 260 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C16.7-0808-150-D55-P | 600 | 150 | 55% | 330 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C16.7-0808-350-D55-P | 600 | 350 | 55% | 330 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C16.5-2912-190-P | 606 | 190 | 50% | 303 | 29×12×0.7 | X-sec | Top down |
SNS-C16.5-2912-190-S 4 | 606 | 190 | 50% | 303 | 29×12×0.7 | X-sec | Top down |
SNS-C16.5-2924-190-P | 606 | 190 | 50% | 303 | 29×24.2×0.7 5 | X-sec | Top down |
SNS-C14.8-2410-170-P | 675 | 170 | 32% | 218 | 24×10×0.7 | ||
SNS-C14.8-2430-170-P | 675 | 170 | 32% | 218 | 24×30.4×0.7 5 | ||
SNS-C14.3-0808-150-D45-P | 700 | 150 | 47% | 330 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C14.3-0808-350-D45-P | 700 | 350 | 47% | 330 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C14.3-0808-150-D55-P | 700 | 150 | 55% | 375 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C14.3-0808-150-D55-P | 700 | 150 | 55% | 375 | 8×8.3×0.7 | Top down | |
SNS-C12-1212-200-P | 833.3 | 200 | 50% | 416 | 12.5×12.5×0.7 | X-sec | Top down |
SNS-C12-2525-200-P | 833.3 | 200 | 50% | 416 | 25×25×0.7 5 | X-sec | Top down |
SNS-C11.7-1212-200-P | 855 | 200 | 50% | 428 | 12.5×12.5×0.7 | ||
SNS-C11.7-2525-200-P | 855 | 200 | 50% | 428 | 25×25×0.7 5 |
2D nanostamps (rectangular and hexagonal lattice)
型號 | 周期間隔(nm) | 晶體類型 | 槽深 (nm) | 線寬 (nm) | 尺寸 | 型號 |
S2D-24B3-0808-150-P | 700 | rect post | 150 | 260 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-24B3-0808-350-P | 700 | rect post | 350 | 260 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-18B3-0808-150-P | 700 | rect post | 150 | 350 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-18B3-0808-350-P | 700 | rect post | 350 | 350 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-24C2-0808-150-P | 600 | hex post | 150 | 165 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-24C2-0808-350-P | 600 | hex post | 350 | 165 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-18C2-0808-150-P | 600 | hex post | 150 | 240 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-18C2-0808-350-P | 600 | hex post | 350 | 240 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-24C3-0808-150-P | 700 | hex post | 150 | 220 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-24C3-0808-350-P | 700 | hex post | 350 | 220 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-18C3-0808-150-P | 700 | hex post | 150 | 290 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-18C3-0808-350-P | 700 | hex post | 350 | 290 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-24D2-0808-150-P | 600 | hex hole | 150 | 180 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-24D2-0808-350-P | 600 | hex hole | 350 | 180 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-18D3-0808-150-P | 700 | hex hole | 150 | 200 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-18D3-0808-350-P | 700 | hex hole | 350 | 200 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-24D3-0808-150-P | 700 | hex hole | 150 | 290 | 8×8.3×0.7 | Top down |
S2D-24D3-0808-350-P | 700 | hex hole | 350 | 290 | 8×8.3×0.7 | Top down |
New nanostamps are added to our stock frequently. Please contact our application scientists if you cannot find a nanostructure you need in our stock list.
如何清潔光柵
為了去除油脂和其他污染物，傳輸光柵可在室溫Liquinox溶液中浸泡不超過5分鐘，在三個蒸餾水中漂洗，并使用無油噴嘴用干凈干燥的壓縮氮氣吹干，同時用鑷子夾住格柵（不要使用罐上的灰塵，因為其排放物受到高度污染）。切勿讓水在格柵表面干燥，應(yīng)將其吹走。氮氣應(yīng)該來自油箱或無油壓縮機(jī)
http://www.alconox。。ｃｏｍ/Resources/TechnicalBulletin.aspx?plid=3
為了在這個過程中固定光柵，可以使用Nalgene™聚丙烯剪刀式鑷子。
http://www.thermoscientific。。ｃｏｍ/en/product/nalgene-polypropylene-scissor-type-forceps.html
公司簡介
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司成立于2014年,是一家被上海市評為高新技術(shù)企業(yè)和擁有上海市專精特新企業(yè)稱號的專業(yè)光學(xué)服務(wù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)備代理以及項目合作研發(fā)，公司位于大虹橋商務(wù)板塊，擁有接近2000m2的辦公區(qū)域，建有500平先進(jìn)的AOL(Advanced Optical Labs)光學(xué)實驗室，為國內(nèi)外客戶提供專業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。公司主要經(jīng)營光學(xué)元件、激光光學(xué)測試設(shè)備、以及光學(xué)系統(tǒng)集成業(yè)務(wù)。十年來,依托專業(yè)、強(qiáng)大的技術(shù)支持，以及良好的商務(wù)支持團(tuán)隊，筱曉的業(yè)務(wù)范圍正在逐年增長。目前業(yè)務(wù)覆蓋國內(nèi)外各著名高校、頂級科研機(jī)構(gòu)及相關(guān)領(lǐng)域等諸多企事業(yè)單位。筱曉擁有一支核心的管理團(tuán)隊以及專業(yè)的研發(fā)實驗室，奠定了我們在設(shè)備的拓展應(yīng)用及自主研發(fā)領(lǐng)域堅實的基礎(chǔ)。
主要經(jīng)營
激光器/光源
半導(dǎo)體激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子級聯(lián)激光器、FP激光器、VCSEL激光器）
氣體激光器（HENE激光器、氬離子激光器、氦鎘激光器）
光纖激光器（連續(xù)激光器、超短脈沖激光器）
光學(xué)元件
光纖光柵濾波器、光纖放大器、光學(xué)晶體、光纖隔離器/環(huán)形器、脈沖驅(qū)動板、光纖耦合器、氣體吸收池、光纖準(zhǔn)直器、光接收組件、激光控制驅(qū)動器等各種無源器件
激光分析設(shè)備
高精度光譜分析儀、自相關(guān)儀、偏振分析儀，激光波長計、紅外相機(jī)、光束質(zhì)量分析儀、紅外觀察鏡等
光纖處理設(shè)備
光纖拉錐機(jī)、裸光纖研磨機(jī) 
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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化工儀器網(wǎng)