產地類別 | 進口 |
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硅探測器是現代半導體技術的產物。在大多數應用中,這種探測器取代了硅表面勢壘(SSB)探測器和擴散結(DJ)探測器。與SDB和DJ類型相比,Pips檢測器具有許多優點
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更新時間:2019-04-11 10:49:36瀏覽次數:2397
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利用光刻技術來確定器件的幾何形狀,用平面工藝制作PIPPS探測器。專有技術用于精確控制氧化物鈍化,離子注入用于形成低反向漏電流和薄入口窗口所需的精確控制結。光刻技術幾乎適合于直徑為140毫米的任何幾何形狀。均勻離子注入接觸的電阻率可以精確控制,產生極薄的入口窗口(<50 nm)的位置敏感探測器。
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