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下拉法晶體生長爐

一·下拉法晶體生長爐設(shè)備用途：

下拉法晶體生長爐兼顧感應(yīng)區(qū)熔及晶體生長爐兩種功能，一種用于材料的熔化提純，一種用于材料的定向凝固。

二·下拉法晶體生長爐設(shè)備特點：

    1·本設(shè)備采用立式底部升降結(jié)構(gòu)，一體化設(shè)計，結(jié)構(gòu)緊湊，裝卸料方便，

    2·真空爐體采用304全不銹鋼雙層腔室，承壓能力強(qiáng)

    3·采用下降法，既可以用于晶體生長，也可用于金屬材料的區(qū)熔提純

     4·真空系統(tǒng)可選配高低真空

     5·控制過程全程自動化，不用人為干預(yù)，

三·下拉法晶體生長爐主要技術(shù)參數(shù)

1.加熱溫度：     1600℃

2.常用溫度：1400℃

3.功率：             15Kw±10%
3.冷態(tài)極限真空度：   ≤5Pa（可升降高真空系統(tǒng)）

4.坩堝尺寸：       Ф30×100mm（直徑×高 ）

5.測溫系統(tǒng)：         紅外（700~1600）

7.加熱方式：        高頻感應(yīng)加熱

8.坩堝升降速度：    位移行程 150mm（步進(jìn)電機(jī)控制）速度：1~60mm/min

9.線圈升降速度：    位移行程 150mm（步進(jìn)電機(jī)控制）速度：1~60mm/min

10·爐內(nèi)充氣壓力：             ≤0.03MPa

11·充氣系統(tǒng)：                自動充放氣

12·控制方式：plc+觸摸屏全自動控制