二手日立電鏡，二手SEM；顯微鏡的制造是依據電子與物質的相互作用。當一束高能的入射電子轟擊物質表面時，被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特征x射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子，以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時，也可產生電子-空穴對、晶格振動 （聲子）、電子振蕩 （等離子體）。

二手日立電鏡，二手SEM；相關參數：

項目	描述
SE分辨率	3.0nm (30kV)，高真空模式  / 10nm (3kV), 高真空模式
BSE分辨率	4.0nm (30kV)，低真空模式
放大倍率	x5 ~ x300,000
加速電壓	0.3 ~ 30 kV
低真空范圍	6 ~ 270 Pa
大樣品尺寸	直徑200mm
樣品臺	I型                                     II型
X	0 ~ 80mm                          0 ~ 100mm
Y	0 ~ 40mm                          0 ~ 50mm
Z	5 ~ 35mm                          5 ~ 65mm
R	360o                                  360o
T	-20o~ +90o                        -20o ~ +90o
T	-20o~ +90o                        -20o ~ +90o
大樣品高度	35mm (WD=10mm)           80mm (WD=10mm)
驅動類型	手動                                  五軸馬達驅動
燈絲	預對中鎢燈絲
物鏡光欄	可移動式4孔物鏡光欄
槍偏壓	固定比例偏壓、手動偏壓和自動4偏
檢測器	二次電子檢測器 高靈敏度半導體背散射電子檢測器
分析位置	WD=10mm, TOA=35o
控制	鼠標、鍵盤，手動旋鈕
自動調校	自動燈絲飽和、自動4偏壓、自動槍對中、自動束流設定、自動合軸、自動聚焦  消像散、自動亮度對比度

 

詳細說明

1. S-3400N具有強大的自動功能，包括自動燈絲飽和、4偏壓、自動槍對中、自動束流設定、
   自動合軸自動聚焦和消像散、自動亮度對比度等。
2. 在3kV低加速電壓時保證有10nm的分辨率。
3. 新型5分割高靈敏半導體式背散射探頭。
4. S-3400N II型具有五軸馬達臺，傾斜角度可達-20度~+90度，樣品可達80mm。
5. 分析樣品倉可以同時安裝EDX ， WDX 及EBSD。
6. 真空系統使用渦輪分子泵，潔凈、高效

 二手日立電鏡，二手SEM；電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析通則”國家標準，規定了EDS的定量分析的允許誤差(不包括含超輕元素的試樣)。對平坦的無水、致密、穩定和導電良好的試樣，定量分析總量誤差小于±3%。

另外，EDS分析的相對誤差也有相應的規定:

a) 主元素(>20%wt)允許的相對誤差≤±5%。

b) ±3%wt ≤含量≤ 20%wt的元素，允許的相對誤差≤ 10%。

c) ±1%wt≤含量≤ 3%wt的元素，允許的相對誤差≤ 30%。

d) ±0.5%wt≤含量≤ 1%wt的元素，允許的相對誤差≤ 50%。