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作為組成半導體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
半導體器件檢測儀 電容電壓特性測試儀 數(shù)字電容測試儀
型號AODD-CV-2000
作為組成半導體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。
DL19-CV-2000型電容電壓特性測試儀是測試頻率為1MHz的智能化數(shù)字的電容測試儀器，于測試半導體器件PN結(jié)的勢壘電容在不同偏壓下的電容量，也可測試其它電容。
面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài)，用數(shù)碼管組成的顯示板，將被測元件的數(shù)值，小數(shù)點清晰地顯示出來。儀器有較高的分辨率，電容量是四位讀數(shù)，可分辮到0.01pF，偏置電壓分辨力為0.1V，漏電流分辨力為0.01uA。
儀器配有LY.4-CV-2000型測量座，接插元件靈活，方便可靠。
本儀器測量技術(shù)，性能穩(wěn)定可靠，功能齊全。操作簡便，測試速度快，精度高。可廣泛應用于元件生產(chǎn)廠，科研部門，國防軍工，高等院校等各個部門。
技 術(shù) 指 標：
測試信號頻率1.000MHz±0.01%
測試信號電壓小于或等于100mVrms
電容測量范圍1.00pF～1000pF
工作誤差±3.0%±2字
直流偏壓zui大100V
供電電源交流電壓：220V±5%；
頻率：50Hz±5%；
消耗功率：不大于40W；
工作環(huán)境溫度：0—40℃；
濕度：20%~90%RH40℃；