微波PECVD產品特點：

• 不銹鋼或鋁制腔體
• 極限真空可達10-7Torr
• RF淋浴頭，HCD或微波等離子源可選
• 高達12"(300mm)直徑的樣品臺
• RF射頻偏壓樣品臺
• 水冷樣品臺
• 可加熱到800 °C樣品臺
• 加熱的氣體管路
• 加熱的液體傳送單元
• 抗腐蝕的渦輪分子泵組
• 1路載體氣體以及3路反應氣體，帶MFC
• zui大可支持8路MFC，帶排放箱及氣體閥組
• 預真空鎖及自動上下載腔門
• 氣動控制閥
• 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
• 菜單驅動，4級密碼訪問保護
• 完整的安全聯鎖

微波PECVD產品應用：

• 等離子誘導表面改性
• 等離子清洗
• 等離子聚合
• SiO2, Si3N4, a-Si, DLC以及其它薄膜
• CNT選擇性生長

設備型號：

• NPE-4000：基于PC計算機全自動控制的獨立系統
• NPE-3500：基于PC計算機全自動控制的緊湊型獨立系統
• NPE-3000：基于PC計算機全自動控制的臺式系統
• NRP-4000：RIE/PECVD雙系統
• NSP-4000：濺射/PECVD雙系統

能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到zui大可達12"直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統的平面中空陰極等離子源使得系統可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統可以覆蓋zui廣的可能性來獲得各種沉積參數。