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直流電壓擊穿試驗設備特點
閱讀：568發布時間：2024-5-16
直流高電壓試驗
電氣設備常需進行直流高電壓下的絕緣耐受試驗，也稱直流耐受試驗，如測量設備的泄漏電流就需要施加直流高電壓。另外，一些電容量較大的交流設備，如電力電纜，需用直流高電壓試驗來代替交流高電壓試驗；對于超特高電壓直流輸電設備，則更需要進行直流高電壓試驗。此外，一些高電壓試驗設備，如沖擊高電壓試驗設備，也需用直流高電壓作電源。因此，直流高電壓試驗設備是進行高電壓試驗的一項基本設備。
1 直流高電壓試驗的特點
直流耐壓試驗與測量直流泄漏電流的試驗在方法上是一致的，但從試驗的作用來看則有所不同，前者是試驗絕緣強度，其試驗電壓較高；后者是檢查絕緣情況，試驗電壓較低。目前在發電機、電動機、電力電纜、電容器等設備的絕緣預防性試驗中廣泛地應用直流耐壓試驗。它與交流耐壓試驗相比，主要有以下一些特點：
(1)在進行工頻耐壓試驗時，試驗設備的容量P=ωCXU2，對于試驗電容量較大的試品時，需要較大容量的試驗設備，這在一般情況下不容易辦到。而在直流電壓作用下，沒有電容電流，故進行高壓直流耐壓試驗時，只需供給較小的毫安級泄漏電流，試驗設備可以做得體積小而且比較輕巧，適用于現場預防性試驗的要求。
(2)在進行直流耐壓試驗時，可以同時測量泄漏電流，并根據泄漏電流隨所加電壓的變化特性來判斷絕緣的狀況，以便及早地發現絕緣中存在的局部缺陷。
(3)直流耐壓試驗比交流耐壓試驗更能發現電機端部的絕緣缺陷。其原因是交流電壓作用下，絕緣內部的電壓分布是按電容分布的，電機繞組絕緣的電容電流流向接地的定子鐵心，使得離鐵心越遠的繞組絕緣上承受的電壓越低。而在直流電壓下，沒有電容電流流經線棒絕緣，端部絕緣上的電壓與所加電壓相一致，有利于發現繞組端部的絕緣缺陷。
(4)直流耐壓試驗對絕緣的損傷程度比交流耐壓小。交流耐壓試驗時產生的介質損耗較大，容易引起絕緣發熱，促使絕緣老化變質，對被擊穿的絕緣，其擊穿損傷部分面積大，增加修復的困難。
(5)由于直流電壓作用下在絕緣內部的電壓分布和交流也壓作用下的電壓分布不同，因此不能用直流耐壓試驗代替交流耐壓試驗，在實際工作中應根據具體情況合理選擇使用。
(6)直流耐壓試驗時，試驗電壓值的選擇是一個重要的問題。如前所述，由于直流電壓下的介質損耗小，局部放電的發展也遠比交流耐壓試驗時弱，因此在直流電壓作用下絕緣的擊穿強度比交流電壓作用下高。在選擇直流耐壓的試驗電壓值時，必須考慮到這一點，并主要根據運行經驗來確定。例如對發電機定子繞組，按不同情況，其直流耐壓試驗電壓值分別取2～3倍額定電壓。直流耐壓試驗時的加壓時間也應比交流耐壓試驗要長一些。如發電機試驗電壓是以每級0.5倍額定電壓分階段升高的，每階段停留1min，讀取泄漏電流值。電力電纜試驗時，在試驗電壓下持續5min，以觀察試驗現象并讀取泄漏電流值。
需要指出，一般直流高電壓試驗如同雷電沖擊耐壓一樣通常都采用負極性試驗電壓。
2 直流高電壓的產生
直流高電壓試驗設備的基本技術參數有三個：輸出的額定直流電壓平均值Uav，相應的額定直流電流平均值Iav，以及電壓脈動系數S(電壓脈動幅值δU與直流電壓平均值Uav之比)。根據相關規程規定，S應不大于3%。
一般用整流設備來產生直流高電壓，常用的整流設備是高壓硅整流器(俗稱高壓硅堆)。圖6-4所示為由高壓硅堆組成的半波整流電路。它的原理和接線與電力電子技術中常用的低壓半波整流電路基本一樣，只是增加了一個保護電阻Rb。這是為了限制試品(或電容器C)發生擊穿或閃絡時，以及當電源向電容器C突然充電時通過高壓硅堆和變壓器的電流，以免損壞高壓硅堆和變壓器。對于在試驗中因瞬態過程引起的過電壓，Rb和C也起抑制作用。Rb阻值的選擇應保證流過硅堆的短路電流(最大值)不超過允許的瞬時過載電流(最大值)。
如果沒有負載(RL=∞)，并忽略電容器C的泄漏電流，則充電完畢后，電容器C兩端維持恒定電壓Uc，并等于變壓器高壓側交流電壓的最大值Um，即Uc=Um。而整流元件VD兩端承受的反向電壓uD等于電容器C兩端電壓加上變壓器高壓側交流電壓，即uD=Uc+Umsinωt，如圖6-5中的影線所示。最大反向電壓為UD=2Um，顯然整流元件能耐受的電壓應大于2Um。
當接上負載后，在一個周期內，電容C的電荷變化量為零，平均電流為零，而通過負載的電荷Q是由充電電源經過整流元件VD供給的，所以通過整流元件的平均電流等于負載的平均電流。
從圖6-6可以看出，接上負載后，輸出電壓不再維持恒定，而是具有一定的電壓脈動2δU。
通常負載電阻RL遠大于保護電阻Rb，為了便于分析起見，可忽略Rb。設電容C的平均電壓為Uav(亦即負載的平均電壓)，負載的平均電流為Iav，Iav=Uav/RL，則在t1～t2電容放電期間，電容C通過負載放掉的電荷為
式中：T、f分別為充電電源的周期和頻率。
電容C因放掉電荷Q而產生的電壓脈動為
電壓脈動系數為
可見，電壓脈動隨負載電流增加而增大，增大電容量C或提高充電電源的頻率f可以成比例地減小電壓脈動。
充電電源對電容C和負載RL供電時，會在保護電阻Rb上產生電壓降(忽略變壓器繞組電陽和整流元件的正向電阻壓降)，所以輸出的直流電壓將低于充電電壓的幅值Um。電壓降落的平均值為?Uav=Um- Uav。
在進行直流高電壓試驗時，常在C和RL之間再串聯一個數千歐的電阻Rf，這是為了限制RL發生閃絡或擊穿時電容C的放電電流。
3 倍壓整流
如欲得到更高的電壓并充分利用變壓器的功率，可采用圖6-7所示的倍壓整流電路?？梢钥闯觯瑘D6-7(a)所示倍壓整流電路實質上是兩個半波整流電路的疊加，近年來這種電路廣泛地作為絕緣芯變壓器直流高電壓裝置的基本單元。圖6-7(b)中，負半波期間充電電源經VD1向C1充電達Um，正半波期間充電電源與C1中聯起來經VD2向C2充電達2Um，這是目前直流高電壓發生器中應用較多的基本倍壓整流電路。圖6-7(c)所示為一種需兩端絕緣的電源變壓器的三倍壓整流回路。
為了獲得更高的直流電壓，可以利用圖6-7(b)所示的倍壓整流電路為基本單元組成串級直流高壓發生裝置，如圖6-8所示。下面簡要地闡述這種電路的工作原理。當1點電位為負時，整流元件VD2閉鎖，VD1導通；電源經VD1向電容C1充電，3端為正，1端為負；電容C1上最大可能達到的電位差為接近于Um；此時3點的電位接近于地電位。當電源電壓由-U逐漸升高時，3點的電位也隨之被抬高，此時VT1便閉鎖。當3點的電位比2點高時(開始時C2尚未充電，2點電位為零)，VD2導通，電源經C1、VD2向C2充電，2點電位逐漸升高(對地為正)，電容C2上最大可能達到的電位差為接近于2Um。當電源電壓內+U逐漸下降，3點電位即隨之降落。當3點電位低于2點電位時，整流元件VD2閉鎖，VD3導通，C2經VD3向C3充電。當1點電位繼續下降到對地為負時，電容C3上最大可能達到的電位差為接近于2Um。當電源電壓再次變正后，電源電壓和C1與C3上的電壓串聯通過VD4向C4充電，使電容C4上最大可能達到的電位差為接近于2Um。之后重復上述過程。圖6-9所示為各節點的對地電壓波形。如果負荷電流為零，且略去整流元件的壓降，則理論上最后5點電位將在(+2～+4)Um范圍內變化，而4點的輸出直流電壓可達+4Um。
采用上述單元電路串接起來可以實現多倍壓整流電路。當這種電路串接級數增加時，電壓降落和脈動度增大甚烈。
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