美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能，以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細胞來復制大腦的 3 維結構。 與動物模型和 2D 細胞培養物相比，它們可用作在更接近人體的環境中研究神經和神經退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。

傳統到的商業微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經信號。

3D 微電極陣列為球形類器官創建一個更貼近自然地環境，以模擬健康和疾病狀態的大腦功能。 這項新技術將推動創傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關癡呆癥、慢性創傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析、高分辨率成像三位一體完整尺寸

ECoG 電極陣列

• 65 個微電極 + 4 個參比電極

• 大面積和高分辨率

• 記錄和刺激細胞外電生理活動

• 可彈性拉伸（硅膠基材）

• 柔軟的

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