單乳化-溶劑法:PLGA納米微球修飾納米金棒
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采用單乳化-溶劑 (O /W) 揮發技術制備表面帶正電荷的殼聚糖 (CHS) 修飾聚乙 / 丙交酯 (PLGA) 納米微球 (PLGA /CHS) , 通過正交試驗了納米微球的制備條件
結果表明:微球粒徑可控制在150 ~ 200 nm內,在pH =4時,納米微球表面電位為55mV.影響微球粒徑的主要因素是聚合物的濃度,CHS的分子量和濃度以及介質的pH值對微球表面電位也有影響.制備粒徑較小而表面電位較的 PLGA /CHS 納米微球條件為:ρ(CHS)=3 mg/mL,ρ(PLGA)=10mg/mL, Vo/V a=1/4.SEM圖像顯示經HS修飾的PLGA的納米微球形狀規整,熒光顯微觀察和XPS
分析結果證實:CHS包覆于微球表面
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